反射率
) 一、制绒 制绒的目的是在硅片表面形成绒面面，以减少电池片的反射率，绒面凹凸不平可以增加二次反射，改变光程及入射方式。通常情况下用碱处理单晶，可以得到金字塔状绒面;用酸处理多晶，可以得到虫孔
(PACKING)一、制绒制绒的目的是在硅片表面形成绒面面，以减少电池片的反射率，绒面凹凸不平可以增加二次反射，改变光程及入射方式。通常情况下用碱处理单晶，可以得到金字塔状绒面；用酸处理多晶，可以得到虫孔状无规则绒
瓶颈问题，苏州大学教授苏晓东认为，常规绒面反射率24%，湿法黑硅绒面反射率16-18%，以20%内光电效率计算，未来提升1.2-1.6%可能性很大。多晶性价比优势将再扩大，单多晶市场份额最终也将会
不同的要求，一般远小于制绒减薄量。疏水性测试，刻蚀后电池片需要=定时抽检电池片疏水性，疏水性可反映扩散的好坏。反射率，主要与刻重、电池片和药液有关三、刻蚀车间常见事项异常处理，刻蚀车间和制绒车间极其
、制绒的目的去除机械损伤层主要来自原片切割过程中的表面损伤；增加电池片表面面积为扩散增加制结面积准备；陷光原理大大降低电池片表面反射率；去除杂质HF可以去除电池片表面油污、HCL去除金属杂质；多晶绒面
量过大或者过小都会引起最终电池片的效率。减薄量的影响因素：制绒槽温度、药液浓度、比例、流量、怠速等2、制绒后反射率。制绒后反射率是仅次于减薄量的监控指标，其主要体现电池片表面绒面的好坏，反射率主要的影响
造成了巨大的困难，也提高了电池片反射率不易提高转化效率。虽然目前已有 RIE(反应离子蚀刻)、 湿法黑硅、添加剂等方式，但产业化应用过程中的成本解决仍将成为各家厂商需要集中解决的问题。
0.05-0.1个百分点，总体提升达0.3至0.4个百分点。TS+背面采用抛光技术，使得硅片制绒加工成本降低40%以上，达2-3分/瓦;同时，具备更高反射率的背表面，为背钝化技术的实施提供可靠的材料基础
%。到目前为止制绒添加剂技术、干法黑硅技术和湿法黑硅技术等都可以解决金刚线切割的多晶硅片反射率高，制绒困难的问题。多晶制绒添加剂技术不改变原有设备，增加专用添加剂，可以将金刚线多晶硅片反射率降低至接近常规
反射率的背表面，为背钝化技术的实施提供可靠的材料基础，大大降低多晶PERC工艺的背抛光成本。 据介绍，TS+系列硅片由于性价比的显著提升，使其具备很大的应用推广价值。采用TS+黑硅片的
，电池效率增益将再提升0.05-0.1个百分点，总体提升达0.3至0.4个百分点。TS+背面采用抛光技术，使得硅片制绒加工成本降低40%以上，达2-3分/瓦；同时，具备更高反射率的背表面，为背钝化技术的
