单晶坩埚

三年，铸造单晶技术在国内铸锭企业间掀起了一个较大的高潮，后来又戛然而止，因为铸造单晶碰到了其无法克服的难点。 二、铸造单晶的难点 难点1、铸造单晶中上部缺陷大 采用坩埚底部铺单晶籽晶长单晶的方法

提出在坩埚底部铺设籽晶的方法生产铸造单晶硅，2006年BP Solar第一次证实可以在工业化的尺寸上生产铸造单晶硅。 在诞生之初，铸造技术因为性价比优势迅速占领市场，投料量大，单位电耗低，单晶公斤

SiCi坩埚。 蜂巢硅片是目前直拉单晶在国际上盛行的一种新技术。杨德仁介绍，将单晶硅片切成六边形，单晶成品棒利用率可增加19%，单晶硅片的非硅成本下降10%以上，并且能够兼容PERC等各种高效电池

长度有所下降，每片硅片产品分担的坩埚成本等有所上升：根据晶盛机电的测算，在保持450 千克投料量的基准假设下，单根12 英寸硅棒牵引长度约为2600 毫米，较此前8 英寸(满足M6 及以下尺寸硅片)硅棒
5200 毫米牵引长度缩减50%。而即使将投料量提升到600 千克，牵引长度也只能达到3500 毫米，较此前缩减33%。基于当前信息分析，新生产线坩埚复用次数与此前一致，单炉产出的下降间接导致分摊成本

销售的上市公司，主要产品包括单晶硅生长炉、多晶硅铸锭炉、LED外延MOCVD设备及与之配套的石墨热场、保温材料及石英坩埚，硅棒、多线切片机，单晶硅切断机，单晶硅切方滚磨机等光伏生产设备及宝石炉、倒角机等LED生产设备，部分产品批量进入海外市场。

在方型石英坩埚内采用铸造的方式，经铺设籽晶并采用晶体生长工艺，得到铸锭单晶大方锭，如图2所示。由于直拉单晶开方切片是从圆到准方的过程，而铸锭单晶是从方到方，因而对尺寸适应性更好、可以更加灵活

)为44元，多晶铸锭后每千克附加成本为21元。单晶的拉棒环节成本是多晶的一倍以上。 单晶主要高于多晶的成本在于坩埚、石墨热场以及电力。这主要是由于单晶的单炉产出量相对较小。目前，多晶硅单炉

要保持凸形，带来的好处有二 第一：从中心长晶的好处，中心单晶率较高，从中心往四周长基本上会长出单晶来，收益和良率都会得到保证。 第二 减小和规避因侧壁或者坩埚壁的凹凸点和小杂质点形成多晶核，导致在

SiC-SiO2复合颗粒铺设在坩埚底部作籽晶，能显著降低硅锭中下部的氧含量。常州天合的康海涛等用两面均涂有硅氧层-硅氮层的单晶硅片，诱导形核来抑制位错，降低多晶硅材料体内缺陷。籽晶料种类见图3。 2.2
的边部红区，提高硅锭整体质量。 2.3铸造单晶技术 铸造准单晶硅由于其生产成本低于直拉单晶，其太阳电池的转换效率高于传统铸造多晶硅，一直是光伏行业研究的热点。铸造单晶是在坩埚底部铺设特定晶向的籽晶

炉装料量、晶体生长速度到成品率，从单位电耗到坩埚等耗材成本，乃至其自动化生产的便捷程度上，都比单晶制造的直拉法更有优势。此外，生产能耗较低带来了更高的碳足迹分值，这在注重产品生产过程碳足迹的法国等
过程，单晶提拉旋转的过程中硅液不断与以二氧化硅为原料的石英坩埚发生旋转冲刷，而铸锭过程相对而言更像一个安静的美男子。目前单晶硅棒可以做到的平均氧含量先进水平为11-12ppma，而铸锭单晶只有该数值的