单晶坩埚

、低能耗、大尺寸优势和单晶的高效率、高质量优势结合到了一起。 鑫单晶G3在实际生产中，从单炉装料量、晶体生长速度到成品率，从单位电耗到坩埚等耗材成本，乃至其自动化生产的便捷程度上，都比单晶制造的直拉法

不用坩埚，避免了来自坩埚的污染，而且还可以利用悬浮区熔进行多次提纯，所以单晶的纯度高，同时Fz单晶的氧含量比直拉硅单晶(见半导体硅材料)的氧含量低2～3个数量级，很好解决光衰问题。 但区熔单晶的工艺比

日本科学家在近日于韩国釜山召开的第二十五届太阳光发电国际会议上宣布，日本科学技术振兴机构中岛公式一雄领导的一个研究小组首次利用50厘米直径的标准石英坩埚，制作出40厘米直径以上的高品质硅铸块单晶
标准尺寸50厘米直径的石英坩埚，成功制作出40厘米直径以上的硅铸块单晶体，且能从一个断面切片制作出四张晶片。 研究小组下一步的目标是不断提高结晶质量，把结晶转位缺欠降低到零，从而使制作成本减少三成。

法。在这个过程中，多晶硅料放入石英坩埚中，经过加温后缓慢融化，浸入一根具有一定晶向的籽晶，经过缩颈、放肩、转肩、等径、收尾生长和冷却过程，完成一根单晶的生长过程。多晶晶锭生产最常用的工艺是铸锭法。在这
个过程中，多晶硅放入石英坩埚中，经过加热、融化、长晶、退火和冷却，完成一个多晶晶锭的生长过程。把单晶硅棒或多晶晶碇切割成硅片，目前基本上采用的是多线切割技术。将硅棒或硅锭经表面整形、定向、切割、研磨

材料，使用的是改进版的多晶工艺。 它采用籽晶，但是，不是逐步从硅上拉出来(就像传统的单晶工艺那样)，而是被放在坩埚底部，完全覆盖上熔化的硅。然后，热量的提取是通过坩埚底部进行，确保结晶始于底部，籽晶

SchottPerformMono太阳能组件计划更进一步。 肖特表示，Quasimono技术的特点是在坩埚底部将籽晶部分融化。类单晶培养采用公司的垂直梯度凝固
单晶电池上，预计可将效率提升到19%以上。 另据报道，肖特太阳能表示他们新研发的Quasimono太阳能硅片转换率达到了19.9%，这一消息已经被FraunhoferISE证实。Quasimono硅片是

(Continuous Czocharlski)是下一代高效单晶技术，采用特殊直拉单晶炉，一边进行单晶拉制，一边加料熔化，在坩埚所允许的寿命周期内可完成8-10根的晶棒拉制。当前，业界主流应用的全部为RCz多次

到17.3%以上的转换效率，现在最高可达18%左右。高效多晶铸锭技术的关键在于降低晶体中的位错和其他缺陷。业界估计至少有十余种方法制作高效多晶，例如使用单晶碎片或多晶碎片作为籽晶，使用特殊坩埚或热场等等
中形成一个竖直温度梯度。这个温度梯度使坩埚内的硅液从底部开始凝固，从熔体底部向顶部生长。硅料凝固后，硅锭经过退火、冷却后出炉。结构的优化对于铸锭的硅锭的效率的提升有很重要的作用。 1.1 加热器双电源

Fz法，即悬浮区熔法。利用热能在半导体棒料的一端产生一熔区，再熔接单晶籽晶。区熔法是极高纯硅单晶生产的首选技术，由于不用坩埚，避免了来自坩埚的污染，而且还可以利用悬浮区熔进行多次提纯，所以单晶的纯度高