单多晶衰减

绒面非常完美，表面反射率最低可降至0.4%，单多晶技术统一，生产工艺与设备都可移植于IC工业，如果生产成本能够进一步降低可望取代化学腐蚀方法而大规模使用。京瓷产业化17.2%~17.7%的多晶硅电池
主要问题是光电转换效率偏低，目前国际先进水平为10%左右，且不够稳定，随着时间的延长，其转换效率衰减，直接影响了它的实际应用。如果能进一步解决稳定性问题及提高转换率问题，那么，非晶硅大阳能电池无疑是

面非常完美，表面反射率最低可降至0.4％，单多晶技术统一，生产工艺与设备都可移植于IC工业，如果生产成本能够进一步降低可望取代化学腐蚀方法而大规模使用。京瓷产业化17.2％~17.7％的多晶硅电池就是
效率偏低，目前国际先进水平为10％左右，且不够稳定，随着时间的延长，其转换效率衰减，直接影响了它的实际应用。如果能进一步解决稳定性问题及提高转换率问题，那么，非晶硅大阳能电池无疑是太阳能电池的主要发展产品

而定）。还有就是CIGS薄膜发电的衰减率可控。即采取有效的技术手段，控制发电功率衰减现象发生。我们在云南石林CIGS薄膜电站运行近四年，发电功率没有衰减反而略有增加。见图表。 2013年

CIGS薄膜发电的衰减率可控。即采取有效的技术手段，控制发电功率衰减现象发生。我们在云南石林CIGS薄膜电站运行近四年，发电功率没有衰减反而略有增加。见图表。　　2013年IV曲线图　　2014年IV曲线图

，单晶的发电优势，源于其低工作温度、弱光响应、低线损、低衰减等特性。高温下单多晶组件温度差35摄氏度，而温度每升高一度，组件功率会下降0.40.45%。从长期衰减率看来，第二年起单晶组件年平均衰减

。唐旭辉说，单晶的发电优势，源于其低工作温度、弱光响应、低线损、低衰减等特性。高温下单多晶组件温度差35摄氏度，而温度每升高一度，组件功率会下降0.40.45%。从长期衰减率看来，第二年起单晶组件年平均

衰减等特性。高温下单多晶组件温度差35摄氏度，而温度每升高一度，组件功率会下降0.40.45%。从长期衰减率看来，第二年起单晶组件年平均衰减0.55%，而多晶是0.73%。此外，单晶的经济性还体现在能

晶高5%左右。唐旭辉说，单晶的发电优势，源于其低工作温度、弱光响应、低线损、低衰减等特性。高温下单多晶组件温度差35摄氏度，而温度每升高一度，组件功率会下降0.40.45%。从长期衰减率看来，第二年起单

保证期内衰减不多于16.2%。 ⑤ 单晶组件比多晶硅价格高0.1-0.15元/瓦，单多晶系统端造价基本持平，单晶硅电站的投资回报率IRR比多晶电站至少高2.78%。 ⑥ 单晶具有高度集约化、最大程度
市场中。 单多晶电站投资收益对比 目前60片封装的高功率组件，单晶量产功率为275W，多晶量产功率为260W，单晶组件价格为4.11元/W左右，多晶为3.98元/W左右。由于单晶组件在每个方阵中使

优势，它的原理来源于一个是低工作温度、弱光响应、低线损、低衰减。单晶工作温度低，多晶转换效率相对比较低，将更多的光能转换成热能。高温下单多晶组件温度差35摄氏度，光伏组件温度效应问题，温度每升高
系统，还有1983、1984年国内的电站都已经验证了单晶系统运行的可靠性。在国内最早的一些电站也都是单晶电站，比如1986年的云南民用单晶系统，1994年宁波光伏电站21年的总衰减3.1%， 1997年