半导体器件
系数、高的缺陷容忍度、出色的载流子特性和优异的光电性质，使其在光伏电池、发光二极管、光电探测器等半导体器件领域展现出优异的性能而备受关注。尽管钙钛矿具有带隙可调性，但其光吸收依然受限于1000
nm
第一作者：高鹏(北京大学)通讯作者(单位)：赵清(北京大学)、孙宝全(苏州大学)、赵怡程(电子科技大学)文章介绍金属卤化物钙钛矿作为一种新兴的颇具前景的新型半导体材料，其独特的晶体结构、高的光吸收
研究内容澳大利亚国立大学 Manuka Suriyage, Ruo-Si Chen & Yuerui Lu教授团队发表了以下见解：二维材料因其超薄、高性能的特性，在下一代电子器件领域中展现出巨大潜力
。石墨烯、过渡金属硫族化物(如MoS₂)等材料的出现，为构建更小、更快、更智能的电子器件提供了基础。然而，要真正将这些材料应用于大规模集成电路中，制造工艺的突破是关键的一步。传统的图案化技术，如光刻
作为光伏电站的"心脏"，其性能直接决定收益上限。特变电工新能源1500V/450kW大功率组串式光伏并网逆变器深度融合第三代半导体(SiC)器件、磁集成、热集成等先进技术，成为光伏大基地大方阵的"全能
。效率与成本双优解第三代半导体(SiC)器件等技术的应用，可有效提高产品效率，降低系统损耗，直接转化为客户收益的增加;855-1400Vdc超宽满载电压范围进一步提升发电收益，1000Vac交流输出降低
半导体基于HC32F334控制器推出了双有源桥DAB应用方案，其主要规格参数如下表所示：表1
DAB规格参数双有源桥DAB的拓扑结构和基于HC32F334的方案框图如图1.1所示。图1.1 小华DAB
，虽然实现了电路拓扑的对称性，但是增加了较多的谐振原件，使得成本升高，且不利于高功率密度的实现。因此综合考虑下，SRDAB变换器具有元器件相对较少，宽电压范围，高效率，易于实现双向能量传输等优点，在大功率
TI、瑞萨为代表的半导体头部企业，正通过底层技术创新提供破局方案：TI聚焦模拟与嵌入式技术，以GaN器件与全链路管理方案突破产业瓶颈：TI基于GaN + C2000™ MCU构建高精度控制闭环，其
来《面向第三代半导体应用的软磁材料研究现状及发展趋势》，解析国家重点研发计划支持下的软磁材料在SiC/GaN器件中的适配方案，为高频化储能电感设计提供材料选择新思路;扬杰科技SiC高级经理孙志伟的《以
SiC功率模块，提高开关频率，系统效率较传统硅基(SI)器件提升0.32%;-40℃至
70℃全温域稳定工作，无惧极寒与高温环境;5000米海拔场景下仍可额定功率运行，彻底解决高原地区降额痛点。其
、BC、钙钛矿太阳能电池装备及智能制造系统解决方案，同时，顺应光伏装备产品发展路径向半导体装备领域延伸。展望未来，捷佳伟创将继续以“雄居中国一流，打造世界品牌”为愿景，致力于成为世界先进的新能源装备服务
达到实验验证标准，通过真实代码操作与经典案例，掌握从理论到落地的全流程技能，胜任电池材料、纳米器件等领域的尖端模拟需求。实操部分包括DeePMD
软件的进阶使用与补充讲解，包括多 GPU 并行训练
结构之间的关系，为金属有机框架材料的设计和筛选提供指导。通过机器学习方法筛选新型四元半导体化合物
：获取四元半导体化合物的相关数据，如元素组成、晶体结构、电子性质等，利用机器学习算法(如决策树
博士学位(师从严克友教授)，并先后在华南理工大学(合作导师严克友教授)和香港中文大学(合作导师路新慧教授)从事博士后研究。主要从事半导体功能纳米材料合成、无机钙钛矿太阳能电池以及叠层器件的研究，取得了
Energy. Mater等。严克友教授，本文通讯作者，海外高层次引进人才，环境与能源学院环境与能源融合教研所所长，发光材料与器件国家重点实验室成员，硕/博导。长期从事太阳能转化、储存和利用研究，在Nature
：原材料丰富，核心光活性层(钙钛矿)为直接带隙半导体可通过溶液法(如旋涂、刮刀涂布)或干法(如热蒸发)
在相对低温下制备，显著降低能耗和设备成本。柔性潜力：可在柔性基底(如塑料/薄膜)上制备，为可穿
阴离子(如碘I⁻、溴Br⁻或氯Cl⁻)器件结构主要分为两种：正式(n-i-p)结构&反式(p-i-n)结构典型器件结构包含三个关键部分：光活性层：钙钛矿材料，通常为ABX₃结构的金属卤化物钙钛矿(如甲胺铅
隙半导体，其电子态扩展性差，难以与有机分子Tc的波函数充分重叠。 界面缺陷导致猝灭：硅表面存在大量悬挂键和缺陷，会捕获激子并引发非辐射复合。 能量损失：若Dexter转移效率低，激子可能在界面处以
电荷转移，而在p-Si中则存在电子转移势垒。这解释了为何n-p型器件表现优异，而p-n型器件效率下降。 创新器件设计：微线结构助力高效收集为了高效收集界面处产生的电荷(主要是少数载流子)，团队采用了浅
