减薄硅片厚度
采访的过程中，受访企业表示，制约异质结进一步加速的主要问题是成本。目前各家企业思路都集中在减少银浆、靶材的用量和硅片减薄几个方面，同时推动产能快速爬坡以摊薄管理成本。受访企业透露，2023年相关技术
，双面率、温度系数、碳足迹等均优于 TOPCon。HJT 电池降本路径清晰， 存在银包铜、电镀铜、薄硅片、网版、低铟靶材、薄硅片、210 尺寸半片、SMBB 等 降本增效技术，单线产能已经升至
用量或使用无铟TCO(透明导电氧化物)靶材。当前，在硅片厚度降本路径达成、0BB技术和银包铜技术的降本控制初见成效后，异质结电池对TCO靶材少铟、无铟的要求，成为了一项重要的降本举措。氧化锡铟(ITO
薄膜的厚度可以更薄，因此HBC电池的靶材使用量可以大幅下降。金石能源HBC电池的TCO靶材使用量仅为5mg/W，目前异质结电池的TCO靶材使用量约为13.5mg/W。金石能源HBC电池换算到每GW
66版型组件功率达到743.68W(第三方认证)，在硅片厚度减薄至110μm的条件下，量产良率依然可达到97%以上。此外，P型TBC研发批次效率达到25.18%，N型TBC最高研发效率达到26.11
10mg/W。不仅如此，公司通过技术和工艺优化，还大大降低了电池片和组件产品的硅成本。众所周知，组件成本中，电池片成本大概占比65%~70%，而电池片成本中，硅片成本占大头。不难看出，硅片减薄也是极为
提效0.2%以上。同时，THC中试线已完成双面纳米晶技术开发，当前最高转换效率已达到 26.49%，210尺寸66版型组件功率达到 743.68W（第三方认证）， 在硅片厚度减薄至110μm 的条件下
可圈可点。天合光能将组件的碳足迹进行拆分，与合作伙伴开发低碳硅材料。同时天合光能通过技术手段，减薄硅片厚度，降低碳足迹，与常规硅片相比，150微米和130微米的硅片的碳足迹下降了20%。2023年2月，国家
8月份行业首发80μm超薄硅片，本次再次减薄硅片厚度距离上次时隔8个月，再度刷新了记录。高测还表示，目前公司已具备210mm规格110μm硅片半片的量产能力，并在研发端突破了60μm薄片化的技术壁垒
所应用的硅片厚度将会进一步减薄，结合双面银包铜浆料以及0BB技术，年内肯定实现与PERC成本的打平。华晟新能源董事长 徐晓华当下异质结产业化的关键在于降本提效的持续推进。在设备端，是把稳定性不断提升
效率便突破了25%，中试线研发效率更是达到了26.1%，而这一高效率是在厚度为130μm的超薄硅片上实现，且随着技术的成熟，在保持高效性能的基础上，硅片厚度还将持续减薄，再次证明了异质结提效降本的巨大
