电池片表面的减反射层、银浆和铝去除,得到纯净的硅片。 对于废旧光伏组件,手工拆解很难,目前的回收技术基本上是物理分离大体回收含杂质的硅片,有机溶剂浸泡获得完整硅片,以及热处理与化学方法结合缩短回收时间等
技有限公司专利侵权提出诉讼。帝斯曼提供一种先进的用于光伏玻璃表面的减反射涂层材料,广泛地应用于全球的太阳能光伏行业,该材料能够有效降低表面光线反射,从而为太阳能组件带来最高可达4%的能量增益。同时该
,2019年的单位耗硅量为4.3g/瓦,仅为2009年的31%。对原材料利用率的大幅提高,自然会带来利润空间的同步增长。目前降低耗硅量的主要方式为降低硅片厚度与减少切片损耗。
硅片减薄:从产业发展趋势看
金刚线切割技术较传统切割法,有切割速度快、良品率高、单片损耗低等一系列优点。高水平的切割技术同样有助于硅片进一步减薄与增大,能够协助改进硅片产品设计,进而降低生产成本。
可以看到,目前光伏产业上游的
非晶硅钝化技术与IBC相结合,开发出HBC电池。对比IBC,采用氢化非晶硅层作为双面钝化层,背部形成局部异质结结构或侧高开路电压;对比HJT,前表面无电极遮挡,采用减反射层取代透明的导电氧化物薄膜
%,成本下降有赖于以上三方面:1)硅片大尺寸和薄片化方向有助于硅片成本持续下降。TOPCon电池硅片从166mm向182mm和210mm发展,尺寸厚度从目前的170m持续减薄;2)银浆替代和用量下降推动
为4.3g/瓦,仅为2009年的31%[10]。对原材料利用率的大幅提高,自然会带来利润空间的同步增长。目前降低耗硅量的主要方式为降低硅片厚度与减少切片损耗。
硅片减薄:从产业发展趋势看,硅片厚度
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切片减损:刀锋损失是硅料切割过程中主要的损耗来源。新一代的金刚线切割技术较传统切割法,有切割速度快、良品率高、单片损耗低等一系列优点。高水平的切割技术同样有助于硅片进一步减薄与增大,能够协助
钝化,降低背表面复合速率,增加光程,提升效率。但红外辐射光只有60-70%能被反射, 产生较多的光电损失,在转换效率方面有明显的局限。
2) PERC电池技术。通过在电池背面附上介质钝化叠层三氧化
二铝和氮化硅作为背 反射器,增加长波光的吸收,同时增大P-N极间的电势差,降低电子复合,提升光电转换效率,还可以做成双面电池。随着工艺成熟,设备国产化和成本降低, 逐渐成为市场
方式,硅片每减薄20微米价格可下降10%,对应组件价格降低5-6分/Wp。
异质结电池采用低温制造工艺,易实现薄片化,预计2030年厚度可降到120微米,据南京航空航天大学亚太材料科学院实验室研究
表明,硅片薄片化并不会影响转化效率。异质结电池内采用倒金字塔陷光结构相比行业内普遍采用的正金字塔陷光结构有更高的转化效率。倒金字塔陷光结构的优点包括更低的入射光反射率、更好的钝化效果、更大的斜光发电效率及更适合于超薄HJT太阳电池。
(本文为索比光伏网据嘉宾演讲整理,未经嘉宾审核)
,HBC在IBC电池的基础上,背面依次插入本征非晶硅钝化层和透明导电膜层,具有更好的钝化效果。另一方面,相比于HJT,HBC结合了正面无遮挡的技术优势,同时正面采用SiNx减反射层代替TCO,进一步减少
硅 SiOx 和氮化硅 SiNx 等钝化叠层, 因此电池的表面复合速率大大的降低,电池的开压 VOC 可以提升 15-20mV。而且,由于背面钝化层可以增加光学内反射作用,因此电池的电流 ISC 也会有显著
组件开发、双面电池单封组件技术开发、沿海组件设计开发、166大硅片组件开发等。
(3)封装材料研发方面:光伏组件焊带反光贴膜、光伏组件间隙反光膜、光伏组件绝缘隔离膜、光伏组件装饰贴膜的研发、高反射
率钛白粉母粒的研究与制备、抗PID-p聚烯烃封装胶膜的研发、75微米减薄款反光贴膜的研发、高粘结强度的白色EVA胶膜的研发、光伏组件用高光电转换效率封装胶膜的研发、单玻组件高抗PID的EVA胶膜开发
,HBC结合了正面无遮挡的技术优势,同时正面采用SiNx减反射层代替TCO,进一步减少了光学损失。
HBC的工艺难度大,设备成本高。HBC制备工艺包括:1)清洗制绒;2)双面本征非晶硅沉积;3)背面
、氧化硅等减反射率更高的材料,形成双减反层或三减反层,有助于减少载流子损失。多层膜工艺虽然被证明可提高转换效率,但不可避免地会增加工艺复杂度、加工时间与设备投入,因此与多层膜相关的制造工艺和设备仍在