26.0% 的优异 PCE(认证值为 25.28%)。多种表征证实了掺入 CY 的器件相比未掺入 CY
的参考器件性能更优异的关键原因。在掺入 CY 的器件中,我们还发现未封装电池(85
%)与超稳定性,为有机半导体 -
钙钛矿电池提供了新理论基础和应用范式。器件制备一、n-i-p 结构器件(FTO/TiO₂/ 钙钛矿 / Spiro-OmetaD/Au)基底清洗与预处理基底:氟
总面积PCE。此外,TBC器件克服了BC技术的主要短板——低双面率因子,其双面率因子大于80%。创新点1.开发了一种利于提升光学性能的双面光管理策略,有利于减少光学损失和提高整体的均匀性。2.在商业
拉伸应变的塑性松弛。通过隔离非本征晶相干扰和与激子相关的光学干扰,我们观察到3D钙钛矿仅在适度拉伸应变弛豫的情况下保持高结晶度。这种适度的弛豫增强了3D钙钛矿中的光电性质,包括加宽的带间吸收和延长的电荷
载流子寿命,显著有助于提高光伏器件中可获得的最大功率转换效率。我们的发现概述了优化光电性能的应变弛豫条件,推进了卤化物钙钛矿中的应变工程。创新点1.提出2D诱导塑性应变松弛机制,利用长链烷基胺配体
P2EH-1V
的不对称非富勒烯受体(NFA),它“显着”增加了近红外(NIR)光的吸收。该方法使用单侧共轭 π 桥将器件的光学带隙降低到1.27
eV,同时保持“理想”激子解离和纳米形态
创建钙钛矿-有机叠层器件,基于可实现17.9%的功率转换效率和28.60
mA/cm2的高短路电流密度的有机电池;它使用钙钛矿太阳能电池,开路电压为1.37 eV,填充因子为85.5%。新加坡
同时,将光学带隙降低到1.27 eV。瞬态吸收光谱证实了从P2 EH-1V到施主PM
6的有效空穴转移。基于P2 EH-1V的器件显示出0.20
eV的降低的非辐射电压损耗,而不影响电荷产生
:设计并合成了新型不对称非富勒烯受体P2EH-1V,具有单侧共轭π桥,降低光学带隙至1.27 eV。效率提升:基于P2EH-1V的钙钛矿-有机叠层太阳能电池实现了27.5%的效率。稳定性增强:优化后的
拉伸应变的弛豫。二维钙钛矿会引发三维结构的碎片化,从而促进拉伸应变的塑性弛豫。通过排除外禀晶相干扰和激子相关光学扰动,发现只有当三维钙钛矿保持适度拉伸应变弛豫时,才能维持其高结晶度。这种适度弛豫可显著改善
三维钙钛矿的光电性能——包括展宽的带间吸收和延长的载流子寿命,最终使光伏器件可获得的最大功率转换效率得到显著提升。本研究确立了优化光电性能的应变弛豫条件,推动了卤化物钙钛矿应变工程的发展。图1.
不同的掩埋界面工程策略,并阐明了其潜在机制。其次,系统梳理了 SAM 基倒置 PSC
在稳定性研究方面的最新进展。最后,提出了优化器件效率、稳定性及可扩展商业化的策略建议。文章概要一、引言p-i-n
、MPA 等,可低成本提升器件性能。未来方向先进表征:RAIRS、TOF-SIMS 等解析掩埋界面机制。计算筛选:结合第一性原理与机器学习设计高效界面材料。策略协同:ALD 技术与分子挤出工艺结合,提升
载流子传输效率,限制了器件性能。本文提出了一种酰胺化延迟合成策略,通过引入共价金属卤化物来中断酰胺化反应,释放自由酸/胺,与PbX2配位形成规整的铅卤化物八面体,从而有效抑制PbX2沉淀和缺陷形成。实验
。此外,该策略在红/绿/蓝LED器件中均表现出普适性,为制备高质量量子点和构建高性能光电器件提供了新的思路。图1. 基于酰胺延迟合成的PQD LED和SC性能提升。a)CsPbI3 PQD LED器件
)的纪录效率已接近其~29.4%的实用理论极限,效率提升空间日益受限。为突破这一限制并进一步降低光伏发电的平准化成本,超越单结器件效率极限的多结架构方案成为迫切需求。其中全钙钛矿叠层太阳能电池通过能带隙
可调的钙钛矿材料,可将两个或多个能带互补的子电池集成于单一器件(如框1所示),该技术通过减少光子热化损失,使认证能量转换效率(PCE)突破30%,显著优于单结硅基(27.4%)和钙钛矿(26.7
光子,潜在地提高光电转化效率。光子倍增与量子裁剪原理量子裁剪(Photon
Cutting或Downconversion)是指一种吸收一个高能光子并发射两个(或以上)低能光子的非线性光学过程,其总
、吸收截面宽、与硅电池工艺兼容的发光体;稀土掺杂的转换层可能存在效率随光强降低、长期老化等问题。器件集成方面,要保证转换层均匀覆盖大面积电池且不引入额外损耗,同时控制成本和制备工艺复杂度。产线化量产