低温浆料
高效晶硅电池基本持平，主要技术难点是低温银浆的导电性能较低，且浆料产品占电池制造的非硅产品部分超过50%。因此，HJT银浆的突破对电池的产业化至关重要。因HJT银浆的高导电性、高焊接拉力、快速印刷等
技术要求难以同时满足，目前，HJT电池银浆产业化技术被国外企业独家垄断，价格昂贵，严重制约我国HJT电池技术发展。
本文将从原材料选择、配方设计、生产工艺控制、检测及应用等五个方面介绍HJT低温浆料的
，以及防止在沉积掺杂层期间由掺杂剂原子产生缺陷。掺杂的层完全被氧化铟锡(ITO)膜覆盖，然后使用低温导电(LTC)Ag浆料丝网印刷接触金属栅格以进行电流收集。为了增强ITO层和接触栅格的性能，需要进行
焊接工艺与LTC Ag焊膏不兼容，而后者是因为a-Si / c-Si异质结的温度限制才被用于替代标准烧穿银浆材料的。低温型浆料的体电阻率较高(是高温浆料的2至3倍)和焊接后粘附性也较低。通常，低于1N
突破，唯一的难点在于PECVD，海内外众多企业都在集中攻关以提高PECVD的节拍、稳定性、均匀性，并降低设备价格，明年可能会有较大突破。除PECVD等核心设备外，低温银浆、靶材研发也有较大的突破与进展
。
4) 丝印烧结：异质结电池生产最后一步是丝印烧结，制备金属电极并烧结固化。HIT是低温工艺，因此需要使用低温银浆和低温退火工艺。HIT电池双面都使用低温银浆，不区分正银和背银
完成国产化，满产状态下电池片不含税全成本有希望接近人民币0.85元/瓦。考虑到HJT组件的低衰减、低温度系数、更高的双面率，未来有希望得到更广泛的市场认可。
3.投资建议：HJT电池的工艺
、低温度系数、更高的双面率，未来有希望得到更广泛的市场认可。
三、投资建议
HJT电池的工艺know-how更多、更难，学习和扩散可能会较慢
氢化非晶硅层和P型/N型氢化非晶硅层;2)镀膜环节使用PVD沉积TCO导电膜;3)印刷电极方面需使用低温银浆;4)烧结过程需控制低温烧结。
成本：设备与耗材未来降本空间大
目前异质结电池
成本主要来自硅(47%)、浆料(24%)、折旧(6%)、靶材(5%)。具体来看：1)硅成本降低空间主要来自硅片减薄，未来减薄空间45%;2)浆料成本降低空间主要来自减量和降价，未来减量空间40%、降价空间30
异质结需采用低温工艺，这一工艺对产品的品质影响也很大。而当使用微晶硅代替发射极非晶硅时，ITO的忍受度更大，浆料可能可以从200℃提升到300℃甚至350℃，这对电极导电性有着正面的影响。 三是低温
全部制程采用低温工艺。在电池制造商积极布局异质结技术的背景下，浆料及金属化技术厂商积极跟进相关的市场进度，率先开发先进的金属化技术并抢占市场显得极为必要。 但是总体来看，当前产能最大的仍是
被光伏业界誉为最具产业化潜力的下一代超高效电池技术，具备生产工艺温度低、转换效率高、低温度系数、双面发电等特点。2018年以来，彩虹集团、爱康科技、通威太阳能等企业纷纷宣布投资GW级异质结项目，而国内
异质结电池的生产工艺主要包括非晶硅层沉积、导电膜沉积、表面金属化、低温烧结等过程。其中，金属化工艺是异质结电池制备过程中最为关键的环节之一，不但要保证与硅界面有高的粘结强度和低的接触电阻，同时要为电流
氢化非晶硅层和P型/N型氢化非晶硅层;2)镀膜环节使用PVD沉积TCO导电膜;3)印刷电极方面需使用低温银浆;4)烧结过程需控制低温烧结。
成本：设备与耗材未来降本空间大
目前异质结电池
成本主要来自硅(47%)、浆料(24%)、折旧(6%)、靶材(5%)。具体来看：1)硅成本降低空间主要来自硅片减薄，未来减薄空间45%;2)浆料成本降低空间主要来自减量和降价，未来减量空间40%、降价空间30
氢化非晶硅层和P型/N型氢化非晶硅层;2)镀膜环节使用PVD沉积TCO导电膜;3)印刷电极方面需使用低温银浆;4)烧结过程需控制低温烧结。
成本：设备与耗材未来降本空间大
目前异质结电池
成本主要来自硅(47%)、浆料(24%)、折旧(6%)、靶材(5%)。具体来看：1)硅成本降低空间主要来自硅片减薄，未来减薄空间45%;2)浆料成本降低空间主要来自减量和降价，未来减量空间40%、降价空间30
