阴离子(如碘I⁻、溴Br⁻或氯Cl⁻)器件结构主要分为两种：正式(n-i-p)结构&反式(p-i-n)结构典型器件结构包含三个关键部分：光活性层：钙钛矿材料，通常为ABX₃结构的金属卤化物钙钛矿(如甲胺铅
₆₀, PCBM)，负责高效提取和传输电子，同时阻挡空穴空穴传输层(HTL,p型)：如Spiro-OmetaD、PEDOT:PSS、PTAA、氧化镍(NiOₓ)，负责高效提取和传输空穴，同时阻挡电子电极

太阳能光伏板生产线，年产量为100MW，约合2000000片;工艺为玻璃清洗-P1激光-溅射Ni0x-Ni0x退火-活化-钙钛矿喷涂打印-真空结晶-钙钛矿退火-蒸镀C60-P2激光-蒸镀Cu+Bi-P

引领行业发展：2021年首次推出智能跟踪控制器和SuperTrack智合跟踪算法，经第三方机构实证年均发电较常规的跟踪系统增益2%-4%;2022年首次推出独立单排控制跟踪支架开拓者1P，通过TUV
/CPP/SBP等机构的产品认证及专业技术审核，支架产品性能与质量得到全球客户认可;2023年首创多点电气驱动技术使2P产品安装调试效率大幅提升，大跨距设计使客户的桩基与施工成本更低;2024年针对中东

用，作为有效的缺陷钝化剂，调节了钙钛矿结晶过程中的成核动力学。因此，使用掺杂Th的前驱体制备的器件在老化30天后展现出优异的重现性，且PbI₂残留显著减少。优化后的器件采用常规的n-i-p结构，实现了

辅助的非辐射复合。对于n-i-p常规结构器件，C8A还促进Spiro-OmetaD的空穴传输层p型掺杂，提升空穴提取与传输效率。基于两步法沉积工艺的C8A修饰常规器件实现了26.01%的功率转换效率
(认证效率25.68%)，创下TiO₂基平面结构PSCs的效率纪录。而经C8A钝化的p-i-n倒置结构器件更获得27.18%的冠军效率(认证26.79%)，成为真空闪蒸法制备PSCs的最高效率。未封装的

电荷转移，而在p-Si中则存在电子转移势垒。这解释了为何n-p型器件表现优异，而p-n型器件效率下降。　　创新器件设计：微线结构助力高效收集为了高效收集界面处产生的电荷(主要是少数载流子)，团队采用了浅

去，传统的两步法需要外源性掩膜，导致工序流程长、过程污染严重，在规模量产中效率、良率、成本均难以取得突破，因此行业普遍采用一步法制备BC电池的p、n区隧穿氧化层和多晶硅层，即在整面沉积基础膜层后，再通过
局部覆盖掺杂源进行高温退火实现掺杂。这种方法虽工序相对简洁，但存在根本性局限：p型区和n型区对隧穿层厚度、质量及掺杂工艺的要求存在显著差异，“一刀切”的工艺导致钝化接触性能只能折中妥协，无法各自达到最优

n-i-p 和 p-i-n 结构的 PSC 的广泛适用性，冠军功率转换效率 (PCE) 分别为 25.33% 和 25.37%。此外，组件的有效面积 PCE 在 37.9 cm2 中高达 21.97
/C60/BCP/Ag的单电子器件结构。(h)PSC器件的光强度依赖性VOC。(i)PSC的TPV衰减曲线。图4. 钙钛矿器件的性能。(a)n-i-p结构器件和(B)p-i-n结构器件的J-V曲线

观察到界面载流子动力学发生变化，从而改善了CsPbI₃钙钛矿太阳能电池中的载流子提取。光谱测量表明，由于环境空气退火，陷阱态密度降低。因此，基于空气退火CsPbI₃的n-i-p结构器件实现了19.8%的功率转换效率，开路电压为 1.23 V。