光伏咨询搜索-索比光伏网

金辰股份与晋能科技携手合作开发新型HJT PECVD工艺及电池技术。近日，首台由金辰自主研发的异质结HJT太阳能电池PECVD非晶硅薄膜设备运抵晋能科技，正式开启了双方就进一步研究
开发基于异质结HJT太阳能电池新型PECVD的非晶硅薄膜工艺及电池技术的联合战略合作。晋能科技是国内最早进行HJT电池研发和量产的龙头企业。自2015年至今，晋能科技技术团队已累积了丰富的

行业大佬如京瓷、夏普等一起布局光伏产业。1975年，三洋选择从非晶硅太阳能光伏电池研发项目入手，开始布局光伏电池研发，与京瓷和夏普有所差异化竞争，三洋选择了非晶硅薄膜电池作为突破方向，这在当时是第二代
在正反两面沉积本征氢化和P型和N型非晶硅非晶硅层，从而构成有本征薄层的异质结，也即英文缩写HIT)。同年，三洋开发出了超薄超轻的柔性非晶硅薄膜电池Amorton film。安装柔性非晶薄膜的电池

光伏电站，在夏威夷建设4兆瓦的光伏电站。 1996年投资2500万美金开发非晶硅薄膜技术。这个时候，Solarex取代此前ARCO SoLAR 成为美国的光伏老大和世界第二大光伏企业，Solarex目标
安然参股投资，生产铜铟镓硒技术的薄膜电池，其效率将是单层非晶硅薄膜电池效率的三倍。安然也为此游说美国政府、总统和能源部予以扶持，期望此项目将实现未来五年将光伏发电成本下降到每度电5-8美分，实现

本竞争力不足，核心因素在于两方面： 1) 设备投资额度大，国产化进行仍在路上。由于HJT与目前主流的PERC产线不兼容，因此非晶硅薄膜沉积和TCO膜沉积等核心设备需要重新购置，投资额度相对较大，但
的耗用有望降低约 20-30mg/片，靶材成本有望持续下降。 2) 设备方面降本。HJT制作工艺流程大幅简化，制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO薄膜沉积、电极金属化四个步骤，分别对应的制绒清洗

两年多家公司进入试生产线环节并加大 HJT 电池产业化的投资力度，HJT 电池技术迎来快速发展期。 HJT 电池，即非晶硅薄膜异质结电池，是由两种不同的半导体材料构成异质结。HJT 电池主要由 N
型硅片(c-Si)及基极，在正面、背面都采用非晶硅薄膜(a-Si)形成异质结结构，正面使用本征非晶硅薄膜和 P 型非晶薄膜沉积形成 PN 异质结，背面同样使用本征非晶硅薄膜和 N 型非晶薄膜

型单晶硅( C-Si )为衬底光吸收区,经过制绒清洗后,其正面依次沉积厚度为5-10nm的本征非晶硅薄膜(i-a-Si: H 和掺杂的 P 型非晶硅(P-a-Si: H ),和硅衬底形成 p-n
。同时由于 HJT 电池双面对称,正反面受光照后都能发电,可以做成双面发电组件。 (2)低温制造工艺。HJT 电池采用硅基薄膜工艺形成 p-n 结发射区,制程中的最高温度就是非晶硅薄膜的形成

不断突破，未来HJT降本空间巨大。目前主流的异质结电池采用晶硅衬底和非晶硅薄膜构成，主要工艺是先将N型硅片清洗制绒作为衬底，经过非晶硅薄膜沉积与TCO导电膜沉积，并通过丝网印刷制备银电极，最后烧结退火
制成。从成本端看，HJT与PERC在制造工艺与生产设备最大不同之处在于非晶硅薄膜沉积与导电膜沉积环节。非晶硅薄膜沉积所需设备PECVD目前主要依靠进口，单GW设备投资额在5亿元左右，国内设备厂商钧石