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。激光优化烧结技术利用激光照射硅片，实现对烧结过程的精准控制，提高效率。▶ 江苏微导纳米科技有限公司副董事长兼CTO 黎微明ALD技术的基本特点包括成膜致密度好、保型性好、薄膜成膜均匀性好等，目前在
内。▶ 理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司王俊博士在钙钛矿设备中，ALD的优势在于是膜层致密性好，可以精准控制纳米级膜层的生长;保型性较好，在复杂结构上也可以很好地维持基底形状;薄层特性适合

解决方案微导纳米副董事长兼CTO 黎微明提问讨论环节/午餐/Session 2：异质结、钙钛矿技术专场（王文静主持）报告8：晶硅异质结电池用非铟TCO新材料探索中科院物理所研究员杜小龙报告9：HJT

解决方案。然而，相对于供体聚合物，NiOx 的功函数 (WF) 较低，从而降低了 OSC 中的电荷注入效率。北京化工大学李韦伟和Qiaomei Chen等人通过稀土掺杂来定制 NiOx 纳米粒子，以
(PCE) 提高到 17.13%，超过纯NiOx的15.64%。通过引入还原剂儿茶酚，效率进一步提高到 18.42%，优于基于PEDOT:PSS 的器件。此外，当用于三元共混体系(D18:N3:F-BTA3)时，PCE 达到19.18%高效率，在已报道的使用溶液加工无机纳米颗粒的OSC中表现最佳。

的管控，这甚至比其他的技术要重要得多。这些膜层都是纳米级的膜层，对生产过程的管控会直接影响到效率。降本工作首当其冲的就是降低硅片的厚度，我们现在正在完成从130微米到120微米的切换，最终目标是90

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基于碘化铯和溴化铅的二组分配方(DCP)。三组分配方将前驱液浓度提高到1.3 M，因此获得了390纳米厚的CsPbIBr2钙钛矿薄膜。同时，由于碘化铅与DMSO更强的相互作用，有效调节了钙钛矿的
制备的CsPbIBr2钙钛矿薄膜具有更大的晶粒尺寸和较少的晶界。由于前驱液浓度的提高，薄膜厚度由280纳米(DCP)增加到了390纳米(TCP) (如图2b和2e所示)。图2c和2f的AFM结果表明

参观展会。● 行业专业展览会+国际学术会议+下游用户对接+企业新品发布+学生竞赛+创新奖。参展范围1、先进材料(高温材料、纳米材料、石墨烯)，先进复合材料结构件(树脂基、金属基、碳碳、陶瓷基复合材料
，纳米复合材料，天然纤维复合材料，生物复合材料，智能复合材料，结构功能一体化等)2、先进复合材料结构设计，数字化技术与 CAE 工具(结构设计、模拟仿真技术、建模分析技术及其软件、数字化设备、数据库等)3

高附加值产品比重，培育凹凸棒石纳米化应用产业链、高端特种玻璃产业链等，实现无机非金属新材料产品高品质应用，形成五十亿级无机非金属新材料产业集群。(二)重点培育关键战略材料。1.新能源材料。以河西地区、兰州
领域的特殊优势，形成五十亿级同位素新材料产业集群。(三)积极布局前沿新材料。主动把握新材料技术与信息技术、纳米技术、智能技术等融合发展趋势，重视原始创新和颠覆性技术创新，面向国家战略和新兴科创产业重点

&荷兰埃因霍温科技大学陶书霞&阿肯色大学Min Xiao于AM刊发周期性加热下完全抑制混合卤化物钙钛矿纳米晶体中的相分离的研究成果，将混合卤化物钙钛矿CsPbBr1.2I1.8纳米晶体沉积在ITO
基板上，通过施加或去除外部电压，其温度可以在几秒钟内快速改变约10 ⁰C。这种突然的温度变化会导致CsPbBr1.2I1.8纳米晶体从偏析相暂时转变为混合相，当光照射与周期性加热循环相结合时，后者

3TT-C2-F、3TT-C2-Cl和3TT-C2。将F或/和Cl原子引入分子结构(3TT-C2-F和3TT-C2-Cl)增强了π-π堆积，提高了电子迁移率，并调节了共混膜的纳米纤维形貌，从而促进了激子的产生
解离和电荷传输。特别是，基于D18:3TT-C2-F的共混薄膜表现出高电荷迁移率、延长的激子扩散距离和良好形成的纳米纤维网络。这些因素使得器件的功率转换效率 (PCE) 达到 17.19%，超过