光伏咨询搜索-索比光伏网

可达22.13%，与单晶电池的效率差在0.3%以内，组件效率差距在5W以内，同时光衰仅为直拉单晶的50%，这导致一年后，采用鑫单晶G3硅片的铸锭单晶组件将与直拉单晶组件功率相同。保利协鑫目前正在进行
相比单晶的竞争优势，但谈论打败单晶仍然为时过早。今年SNEC展会的第一天，保利协鑫首席执行官朱战军在一个推介铸锭单晶的内部会议上，承诺保利协鑫的铸锭单晶产品鑫单晶G3，相比同期直拉单晶产品，保持一定

总裁唐骏进行了视频专访，详细了解荣德新能源此次参展的新产品、新技术，并对企业加强内部管理、实现充满精气神的极致执行，平价上网关键时期，荣德将为客户提供怎样的产品和服务，传统直拉单晶与新一代铸造单晶技术竞争优劣等话题进行了深入探讨。

期间，索比光伏网对总裁唐骏进行了视频专访，详细了解荣德新能源此次参展的新产品、新技术，并对企业加强内部管理、实现充满精气神的极致执行，平价上网关键时期，荣德将为客户提供怎样的产品和服务，传统直拉单晶与新一代铸造

直拉单晶基本相同，如考虑光衰方面优势，和直拉单晶组件实现同瓦输出，同时有1美分/瓦的利润空间。此外，鑫单晶G3生产过程的能耗较低带来了更高的碳足迹分值，这在注重产品生产过程碳足迹的法国等海外市场，能够
平均氧含量只有直拉单晶的一半，鑫单晶G3具有更佳LID及LeTID表现。在电阻率分布方面，鑫单晶G3电阻率分布相对直拉单晶更加集中，高度适配主流的PERC电池生产工艺。万跃鹏博士还指出，因为没有倒角

技术在更多应用场景性价比的最重要的选择，而铸锭单晶的发展是必由之路。万跃鹏博士认为，保利协鑫鑫单晶产品经过多年技术升级，已经具备以下四大优势：一是更低氧含量、更低光衰，鑫单晶氧含量6ppm，直拉
直拉单晶每公斤电耗低20多度，转换成每瓦少耗电0.06度。碳足迹在很多海外市场是重要的指标。综上因素，鑫单晶G3PERC电池量产效率和组件输出功率与直拉单晶基本相同，如考虑光衰方面优势，和直拉单晶组件

鑫单晶供应合作协议。在签约仪式前的主题报告中，保利协鑫首席技术官万跃鹏博士(7.460,0.12, 1.63%)表示，保利协鑫最新的铸锭单晶硅片鑫单晶G3PERC电池量产效率和组件输出功率与直拉单晶
基本相同，如考虑光衰方面优势，和直拉单晶组件实现同瓦输出。鑫单晶拥有更窄的电阻率分布，有利于PERC电池效率提升和N型硅片;全方形硅片无倒角，适用于叠片和拼片组件，外观更好;碳足迹更低，是更加绿色产品

性价比的产品成为全产业链共同追求的目标，其中基于铸锭单晶硅片的相关技术和产品引起了广泛关注。在签约仪式前的主题报告中，万跃鹏博士表示，保利协鑫铸锭单晶硅片鑫单晶G3PERC电池量产效率和组件输出功率与直拉
单晶基本相同，如考虑光衰方面优势，和直拉单晶组件实现同瓦输出;鑫单晶拥有更窄的电阻率分布，有利于PERC电池效率提升和N型硅片;全方形硅片无倒角，适用于叠片和拼片组件，外观更好;碳足迹更低，是更加绿色

分布式屋顶上将得到广泛应用。同时，由于鑫单晶电池制造成本较直拉单晶更低，具有更强的成本优势，将有效降低系统成本，增强市场竞争力。作为协鑫集团持续投入研发的秘密武器，鑫单晶产品因其技术及成本的优势正
快速布局市场，与传统直拉单晶不同，鑫单晶采用铸锭的方式，可以实现更少电耗、更大尺寸和更低含氧量，而且硅片电阻率分布更集中，从而带来更高性能和最优性价比。平价时代，度电成本才是唯一竞争力，鑫单晶拥有品质

早日到来。经过7年专注研发，保利协鑫在2017年推出了第三代成熟铸锭单晶产品鑫单晶G3，并于2018年起开始规模化应用。鑫单晶产品具有单晶的效率，多晶的成本优势，量产效率与直拉单晶差在0.3%以内
，158.75mm与单晶实现同瓦输出，给客户更高的性价比;鑫单晶氧含量最低到2ppma, 比直拉单晶具有更低的衰减，低阻电阻率分布更加均匀，效率进一步提升0.2%;鑫单晶能低成本实现166mm方片生产

%以内，组件效率差距在5W以内，同时光衰仅为直拉单晶的50%。更低的间隙氧含量，助力更低的光衰;硅片电阻率分布更加集中，利用电池新工艺，可以在现有基础上再增加光电效率0.2%以上;籽晶回用技术这一黑科技
发电量在实际运用中甚至优于同类直拉单晶组件。协鑫集成的GCL鑫单晶组件结合了直拉单晶的高功率和更有竞争力的价格，能够实现更低的PPA 价格，更高的用户端投资回报率。阿特斯技术总监

2011年至2012风靡一时，由于出色的性能表现，在市场上供不应求，售价甚至一度超过了直拉单晶。自2012年之后，基于小晶粒技术方向的高效多晶取得了突破并大规模量产应用，很快占据了光伏硅片市场的主流
、照单全收的苦恼和尴尬，鑫单晶G3无论是外观还是内在的位错密度，都无限接近直拉单晶硅片，为日趋多元化的光伏材料市场提供了一个极具竞争力的高效产品。从晶体学上讲，区别单晶和多晶的关键在于晶体结构是否无限

硅片曾在2011年至2012年风靡一时，由于出色的性能表现，在市场上供不应求，售价甚至一度超过了直拉单晶。自2012年之后，基于小晶粒技术方向的高效多晶取得了突破并大规模量产应用，很快占据了光伏硅片
使用、照单全收的苦恼和尴尬，鑫单晶G3无论是外观还是内在的位错密度，都无限接近直拉单晶硅片，为日趋多元化的光伏材料市场提供了一个极具竞争力的高效产品。从晶体学上讲，区别单晶和多晶的关键在于晶体结构

这是最具颠覆性的解决方案：连续不断地将多晶硅材料投入到直拉单晶炉中，不仅大大提升了生产效率，更是超预期实现财务收益。随着 GT Advanced Technologies(下称 GTAT)连续
直拉单晶技术(CCZ)的重大商业化进展，GTAT正在推动着光伏技术的进一步发展，致力为行业显著提高生产力，并降低成本。日前公司宣布与北京京运通科技股份有限公司(下称京运通)达成合作协议，这项颠覆性的