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(PECVD) 工艺。而前表面SiNx ARC也同样是采用管式PECVD 工艺完成的。在进行激光电极开窗操作之后，采用丝网印刷和共烧结工艺完成金属电极制作。随后对所有完成烧结的多晶硅PERC
质量控制的和普通的多晶硅硅片之间在多晶硅PERC组件衰减方面的巨大差异。烧结温度对衰减的显著影响已经被广泛认识到。降低烧结工艺时的峰值温度或减缓冷却速度都有助于大幅降低衰减

摘要为了提高局域背接触太阳电池的电性能，研究了铝粉物性(氧含量、粒径)对局域背接触太阳电池背场铝浆性能的影响，探究了烧结工艺对局域背接触太阳电池填充率、铝背场厚度和电性能的影响。结果表明：低氧
含量铝粉和小粒径铝粉活性较高，铝粉和玻璃粉的反应温度较低，铝硅原子间扩散程度较大，可获得较厚的铝背场和较低的填充率;适中的烧结温度能够平衡填充率和铝背场厚度，峰值烧结温度为778.6℃时，填充率达到

摘要：以Al2O3/SixNy为钝化层，制备了PERC单晶硅太阳电池，研究Al2O3钝化层厚度对钝化效果的影响，分析硅片少子寿命变化、烧结曲线对PERC电池电性能参数的影响。 0 引言为了
工艺参数对硅片少子寿命的影响，并得出少子寿命与PERC电池转换效率之间的关系，探讨烧结过程对PERC电池性能的影响及其内在机理。 1 Al2O3对硅的钝化机理 Al2O3中铝原子存在两种配位方式

摘要针对晶体硅太阳电池缺陷的检测问题，利用多种测试设备(EL、PL、Corescan等)，在电池制作的主要工序段(扩散、镀膜、印刷、烧结)对硅片和电池片进行检测，归纳和总结了电池的各种典型缺陷的
采用制绒、扩散、刻蚀、PECVD、印刷、烧结几道工序，由于一些机械应力、热应力及人为等不稳定因素的存在，会不可避免的造成硅片的一些隐性缺陷如污染、裂纹、扩散不均匀等，这类缺陷的存在大大降低了电池片的

，此工艺采用ASYS印刷机;八是烘干、烧结、光照加退火工艺，此工艺用到Despatch烧结退火炉;九是测试分析，主要仪器为ASYS分选机、BERGER测试机。 3.2造成划伤、污染主要成因通过实践
接触、人员接触、粉尘污染、浆料污染等;烘干、烧结、退火工序:人员接触、粉尘污染、炉带污染、油污等;测试分析:吸盘接触、皮带接触、导条接触、人员接触、粉尘污染等。总之，造成划伤、污染主要成因可归结为工艺

，甚至下一世代的N型电池(HJT、IBC)等，都与正面银浆的网印方式或烧结条件有密切关连。鉴于不同的高效技术路线，各大主流太阳能电池厂均有各自的产品需求，如何能迅速响应客户的工艺生产条件，进行浆料配方最适化的调整，是国产正银发展的又一重要挑战。

%，划伤比例无明显变化。因此，该因素为非要因。 2.2.3原因三：烧结炉带造成电池片背场不平根据C车间有两种型号炉带,顶点式与边缘式，AB车间仅有一种顶点式，顶点炉带与电池片背面有接触，而
结语本文通过因果关系法和不同车间的差异对比，进行数据统计分析、逐步验证，查找出产生划伤的关键因素：一是顶点烧结炉带接触导致电池片背面产生黑点和铝刺，造成作业过程中产生大量的划伤;二是PECVD镀膜