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) 问题电池的来源 1. 硅材料自身的缺陷 2. 电池制造的原因 1) 去边不彻底、边缘短路 2) 去边过头，P型层向N型层中心延伸，边缘栅线引起局部短路 3) 烧结不良，正电极或背电极与硅片
) 电池分选测试时的误判 a) 分选测试仪自身误差 b) 测试仪与测试仪之间的差异 c) 分选测试仪的误动作 2) 电池自身的衰减不一致 3) 人为的混片如电池上信息不准确，有可能贴错

满足人类全年的能源需求。为了有效地收集太阳能，人们尝试了各种方法，比如开发大面积、高效、低成本的太阳能电池。目前已有产业化的晶体硅(单晶硅、多晶硅)太阳能电池，部分投产的薄膜电池(非晶/微晶硅
新兴产业之一。比如，晶体硅(单晶硅、多晶硅)太阳能电池目前已有广泛产业化规模，薄膜电池也有部分投产。目前，要想大规模地推广太阳能技术，光能转化效率和能量的有效储存是两个绕不开的大难题。晶硅电池的

。其中，单晶硅的晶体结构完美，禁带宽度仅为1.12eV，自然界中的原材料丰富，特别是N型单晶硅具有杂质少、纯度高、少子寿命高、无晶界位错缺陷以及电阻率容易控制等优势，是实现高效率太阳电池的理想材料
引言近年来，能源危机与环境压力促进了太阳电池研究和产业的迅速发展。目前，晶体硅太阳电池是技术最成熟、应用最广泛的太阳电池，在光伏市场中的比例超过90%，并且在未来相当长的时间内都将占据主导地位

; 总结研究人员系统地研究了杂化卤化铅钙钛矿材料的带边和次带能态的吸收和发射特性，从而获得了激子和缺陷态及其动力学特性。在多晶体和单晶(包括表面和体相)，在高达300K的很宽的温度范围内均发现了自由
cm2量级的电荷俘获截面以及长达数百纳秒的载流子寿命。引言在高效光伏、发光和探测等方面，钙钛矿杂化金属卤化物材料具有广泛的应用前景。这些成功主要得益于该类材料优异的光电特性，包括在可见区域的

废弃量将达到近60GW，如果这些组件处理不当也将给环境、社会带来负担，从而使原本绿色的初衷变得不再绿色。大规模应用生产光伏组件，已经大幅度增加一些稀有金属的应用。比如晶体硅电池的电极制备需要消耗银
，碲化镉、铜铟镓硒、砷化镓等材料。这些材料在其他尖端技术应用领域也有着广泛应用前景，已被作为战略性材料受到重点关注。如果这些材料没有得到恰当的回收与循环利用，将会造成极大的浪费。 1.光伏组件

了解）的激励下，台湾留美博士冯明宪来到宁波造芯，创办了中纬积体电路有限公司，公司董事长冯明宪曾任大茂电子董事长、亚太科技公司执行长、台湾交通大学材料所所长与台湾毫微米实验室副主任等数职，总经理兼营运长
核心部件就是IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写，中文名称为绝缘栅双极型晶体管）， IGBT号称电动汽车的"CPU"！因为IGBT约占汽车电机驱动系统成本的

反倾销、反补贴终裁，征收14.78%~15.97%的反补贴税和18.32%~249.96%的反倾销税，具体的征税对象包括中国产晶体硅光伏电池、电池板、层压板、面板及建筑一体化材料等。2012年9月，欧盟
360瓦，均刷新了世界记录，研发水平处于行业领先水平。 4.3单晶硅片效率更高，未来或成主流晶体硅根据生长工艺的不同可划分为单晶硅和多晶硅。单晶电池和多晶电池的初始原材料都是原生多晶硅，以类似于

8. 邓青云博士与双层异质结型有机光伏电池结构示意图 1980年起，美籍华裔邓青云博士开创了双层异质结结构的有机光伏电池。其思路就是利用两种不同的有机半导体材料来模仿晶体硅异质结结构，即将两层不同的
有机材料的电子传输效率太差，其转化效率依然较低，通常为1-3%。US4684761A与FR2583222B1等都属于双层异质结型有机光伏电池专利申请。 (3)混合异质结型结构 1990年提出了混合

，光伏支架，在晶体硅太阳电池方面，重点进行了太阳电池生产用电子浆料无机粘结剂及电极材料等新材料研发项目在光伏玻璃生产方面，公司对光伏玻璃成份、配方、原料分选、镀膜液、玻璃压花、钢化强度等生产工艺选型及

寿命相对正常区域严重偏低，说明此处存在大量的缺陷，可能原因是硅棒在拉制过程中，外层有污染或有晶体缺陷产生，而导致硅材料的性能下降。一般电池片的电性能显示为Voc稍低，Isc明显偏小，其余性能参数较正
源包括：a、晶体表面的机械损伤和微裂纹;b、杂质或O-Si的原子集团，旋涡带;c、掺杂剂的局部聚集等。一般而言，热应力在硅片的边缘比较大，因此边缘的滑移位错比较明显，然后向中心蔓延，严重时可以出现星形

不合格(如层压机温度低，层压时间短等)造成。 2.玻璃、背板等原材料表面有异物造成。 3.原材料成分(例如乙烯和醋酸乙烯)不均导致不能在正常温度下溶解造成脱层。 4.助焊剂用量过多，在外界长时间遇到
交联度控制在85%5%内。 2.加强原材料供应商的改善及原材检验。 3.加强制程过程中成品外观检验。 4.严格控制助焊剂用量，尽量不超过主栅线两侧0.3mm。 3 硅胶不良导致分层&电池片

包括：电池片晶体类型、环境温湿度、焊接机固定台温度、洁净度、敷设手法等，全方位进行关注并采取相应措施，是降低电池片隐裂的有效途径。光伏组件生产过程中，会因为成品组件(或半成品组件)存在某种异常或缺
困难很大。因此，层压前通过EL测试将半成品组件中的缺陷及时进行排查、发现并更改，显得尤为重要。层压前的工序包括电池片焊接和敷设，由于设备、人、材料、方法、环境等因素，每道工序都可能产生不良现象

。 2. 测试接线盒样品的选择为了尽量消除接线盒中其他因素对测量结果的干扰，我们统一选体积相似的接线盒，130mil芯片二极管，同一封装厂制造的二极管，做成5个灌胶接线盒(A/B/C/D/E)对比样品
。为了观察轴向二极管和平面二极管的散热情况，我们选择了2款轴向二极管的接线盒(A/B)，2款贴片二极管的接线盒(C/D)。 4款接线盒(样品A/B/C/D/)的散热方式均是二极管产生的热量先

来源：摩尔光伏摘要：优化设计太阳电池的电极图形可以获得高的光电转换效率。文中以实例介绍了晶体硅太阳电池上丝网印刷电极的优化设计，讨论了电池的功率损耗与扩散薄层电阻及细栅线宽度的关系，在原始设计的
均匀的，则m值为3。是电极的细栅线的金属层的薄层电阻，昆是主栅线的薄层电阻，这里直接考虑焊带电阻，公式为由式(2)～式(5)可知，选用低体电阻率的金属材料，并且增加主栅线和细栅线的厚度

晶体硅太阳能电池制造工艺中，使用成本昂贵的蒸镀工艺制作电极，如采用Ti/Pa/Ag结构来降低接触电阻，增加与硅底的附着力。而在实际工业生产中，为降低生产成本，常采用导电性能优越的银浆料，用丝网印刷的
工艺制作正面电极，再通过快速烧结工艺使电极与硅基底形成良好的欧姆接触。电子浆料是制造厚膜元件的基础材料，是一种由固体粉末和有机溶剂经过三辊轧制混合均匀的膏状物，在现代电子科技业运用非常广泛。晶硅太阳电池