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，最终决定由原来华能集团收购协鑫新能源控股权调整为收购其资产。 9. 天合光能11月21日，天合光能宣布其光伏科学与技术国家重点实验室研发的高效N型多晶i-TOPCon太阳电池光电转换
)/102 兆瓦(DC,直流)NC 102太阳能光伏电站99%的B类股权出售给了NextEnergy资本(NextEnergy Capital)。 2. 协鑫集成POWIN ENERGY11月14

。其中，单晶硅的晶体结构完美，禁带宽度仅为1.12eV，自然界中的原材料丰富，特别是N型单晶硅具有杂质少、纯度高、少子寿命高、无晶界位错缺陷以及电阻率容易控制等优势，是实现高效率太阳电池的理想材料
，标志着晶体硅研发制造的最高水平。作为IBC电池产业化领导者的美国SunPower公司已经研发了三代IBC太阳电池。其中，2014年在N型CZ硅片上制备的第三代IBC太阳电池的最高效率达到

部分是由于背面电介质去钝效应造成的。IBC太阳能电池正面也发现了这种衰减效应。就IBC电池而言，至少需要一个浅FSF(正面场; 例如n型Cz-Si电池磷扩散涂层)才能不产生这种效应。下图3a和
太阳电池的主导衰减机制在参观展会或拜访业内厂家时，我们常常会发现，那么多有责任心的PERC生产科学工作者竟从未听说过PERC设备可能会出现严重衰减，尤其是热辅助光致衰减(以下简称LeTID，又名电

单晶硅太阳电池生产线上进行，主要工艺步骤( 其中步骤4)和6) 为PERC 电池独有的工艺) 如下： 1) 去损伤层、制绒：制绒金字塔大小1.5～2.5 m; 2)PCl3 扩散：高温扩散形成n
;IL 为太阳电池光生电流;n 为理想因子;k 为玻尔兹曼常数;T 为绝对温度;q 为电子电荷。I0 与基区的掺杂浓度成反比，即在一定电阻率范围内，硅片的电阻率越大，基区掺杂浓度越低，反向饱和电流越高

有两条主栅和多条细栅平行排列在镀有氮化硅减反膜的N型半导体上，为减小遮光效应和获得较小线阻，要求线宽要小，线高要大，附着力和电导性能优良。而在实际生产中，印刷后栅线是有限制的，烧结后50m宽、20m高
，还影响烧结后线的密度以及与N型硅半导体的接触效果，其中最主要的是浆料有无可优化的印刷性。现在大规模推广使用的太阳能电池浆料已经具备了良好的接触性与导电性能，而真正的瓶颈印刷适应性能的研究却无明显进展

摘要：p型单晶硅太阳电池在el检测过程中，部分电池片出现黑斑现象。结合x射线能谱分析(eds)，对黑斑片与正常片进行对比分析，发现黑斑片电池与正常电池片大部分表面的成分相同，排除了镀膜及丝网印刷
成像。由于晶硅太阳电池中少子的扩散长度远远大于势垒宽度，电子和空穴通过势垒区时因复合而消失的几率很小。在正向偏置电压下，p-n结势垒区和扩散区注入了少数载流子，这些非平衡少数载流子不断与多数载流子复合而发光

备受瞩目，PERC电池较常规电池具有良好的效率优势，较N型、HIT等高效技术具有更好的成本优势。未来以PERC为代表的高效电池技术必将成为市场的主流。
等一系列优势。 PERC电池的光衰问题 P型晶硅电池普遍存在光致衰减的问题，而叠加PERC技术后衰减问题更甚，尤其是多晶PERC，目前导致光致衰减的机理尚不清楚。单晶PERC光衰要高于单晶BSF电池

，PERC) 电池是一种发射极与背面双面钝化的太阳电池。通过ALD技术，在电池片背表面沉积一层Al2O3，然后再使用等离子化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical
VaporDeposition，PECVD) 在背面镀一层Si3N4 薄膜，对Al2O3 起保护作用;同时，这层Si3N4薄膜还能提高少子寿命，增加对长波的反射，对光进行充分利用，增加硅片对长波的吸收，显著

HBC电池等。同时，还可搭配双面技术及高质量N型硅片，进一步提升电池效率。 PERC(Passivated Emitter Rear Cell)电池是目前技术最成熟、升级最简单、成本最低的技术升级方案
1. 晶体硅太阳电池的钝化技术(图片来源Taiyang News 2017) (3)提高内建电场强度通过匹配不同禁带宽度的材料，制造异质结电池，提高内建电场强度，提升开路电压、拓展光谱响应范围