光伏咨询搜索-索比光伏网

二、HJT(Heterojunction with Intrinsic Thin-layer)技术1，原理与特点：HJT技术是一种本征薄膜异质结电池技术，具有对称的双面电池结构，中间为N型晶体硅。
在电池的正面和背面分别沉积本征非晶硅薄膜和P型/N型非晶硅薄膜，形成P-N结，并通过透明导电薄膜(TCO)进行导电。

异质结太阳能电池，全称为晶体硅异质结太阳能电池，是一种结合了晶体硅电池与薄膜电池优势的新型太阳能电池技术。
它通过在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，实现了光电转化效率提升潜力高、更大的降成本空间、更高的双面率、可有效降低热损失、更低的光致衰减以及制备工艺简单等特点。

一、技术突破：异质结结构带来高效率光伏异质结电池，采用非晶硅与晶体硅的异质结构，通过精确控制材料的能带结构和界面特性，实现了光生载流子的高效分离与收集。
七、展望未来：技术迭代与市场拓展并进光伏异质结电池作为一种新兴的光伏技术，其发展前景广阔。未来随着科研投入的加大和技术创新的推进，异质结电池的性能将得到进一步提升。

它是一种太阳能电池技术，结合了晶体硅和非晶硅材料的优势，实现更高的能量转换效率。通过在单晶硅片的两面覆盖一层薄薄的非晶硅，形成的结构有效减少了电子和空穴的复合，提升了电池效率。
总之，异质结作为光伏领域的新突破，正引领光伏行业进入新的发展阶段。第五届“碳索”企业家跨年分享会的成功举办，将为异质结技术的推广和应用提供有力助推。

Energy杂志发表文章，报道了由隆基研发团队制造的转换效率高达26.81%的晶体硅异质结太阳电池研究。
随着晶体硅异质结太阳电池的表面钝化水平越来越高，表面复合将逐渐退居到次要地位，而晶体硅本身的俄歇复合过程将逐渐发挥主导作用，此时二极管的理想因子可以小于1，接触电阻的优化将带动填充因子指标的快速提升，进而推动太阳电池综合光电转换性能取得突破

HJT：晶体硅/非晶硅异质结形成PN结，在晶体硅与非晶硅之间镀制有本征非晶硅钝化膜，理论极限可达28.5%。
TOPCon：可沿用部分PERC产线，增加隧穿氧化层和掺杂多晶硅层，主要有LP制备多晶硅膜+扩散、LP制备多晶硅膜+离子注入、PE制备多晶硅膜+原位掺杂三种方式HJT：全新产线但工艺流程简洁，增加本征非晶硅钝化层和异质结结构

随着三洋基础专利保护在2011年到期，许多晶体硅电池公司、薄膜电池公司和光伏设备企业进入异质结电池领域。2017年以来，一批国内企业开始启动或规划异质结产线，商业化节点加速到来。
异质结电池的结构决定了可以天然双面发电，工艺流程只有清洗制绒、非晶硅薄膜沉积、导电膜沉积、丝印固化四个环节，相比8道工序的PERC电池大大简化。