卤素诱导的缺陷，尤其是源于钙钛矿软晶格的缺陷，是影响钙钛矿薄膜质量与稳定性的关键因素，尤其是在埋底界面。
本文成都理工大学陈雨和四川大学彭强等人提出了一种介电分子桥策略，采用双（4-氟苯基）氯膦（F-CPP） 调控钙钛矿结晶、抑制离子迁移、调节界面能带排列并钝化非辐射复合。该策略还显著提升了钙钛矿的介电常数与反向偏压稳定性。最优器件实现了26.60% 的光电转换效率（认证效率26.17%），最大瞬态反向击穿电压达-6.6 V。大面积与宽带隙器件也分别实现了24.08%（1 cm²）、22.56%（1.68 eV）、20.40%（1.73 eV）和20.19%（1.78 eV）的效率。在-1 V反向偏压下，未封装器件在长期储存、热老化与光照后仍分别保持初始效率的90.5%、82.7%与93.5%。
文章亮点：
- 双卤素协同钝化：F-CPP分子中F与Cl单元协同作用，有效钝化卤素诱导缺陷，显著降低缺陷形成能，提升界面质量。
- 介电性能显著增强：F-CPP处理使钙钛矿介电常数提升约两倍，器件瞬态反向击穿电压高达-6.6 V，反向稳定性大幅提升。
- 高效率与高稳定性兼具：器件效率达26.60%，并在多种应力测试（热、光、反向偏压）下表现出优异的长期稳定性。
Dielectric molecular-bridges enable 26.60% efficient and durable inverted perovskite solar cells with high reverse breakdown voltage
C. Luo, Y. Chen, X. Wu, Y. Peng, J. Zhou, Y. Duan, Y. Shen, H. Li, Y. Wu and Q. Peng, Energy Environ. Sci., 2025, Accepted Manuscript , DOI: 10.1039/D5EE02610E
https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2025/ee/d5ee02610e
