印度圣雄甘地中央大学(India's Mahatma Gandhi Central University)、巴拿勒斯印度教大学(Banaras Hindu University)、日本丰田技术研究所(Japan's Toyota Technological Institute)和台湾国立阳明交通大学(Taiwan's National Yang Ming Chiao Tung University)的研究人员对一种由FTO/TiO2-SnO2/CsSnCl3/Cu2O/Au 构成的器件结构进行重点研究，以提高器件的性能。
薄膜材料，如CsSnCl3作为吸光层，不含任何有毒元素。TiO2-SnO2是电子传材料(ETL)，具有出色的能级排列，而 Cu2O 用作空穴传输材料(HTL)。在这项工作中，通过SCAPS 1D系统地研究了所提出的器件的结构，包括功率转换效率(PCE)、HTL厚度、钙钛矿层、ETL以及温度、串联和分流电阻。此外，还分析了器件的界面缺陷密度、莫特-肖特基、电容、复合生成速率和电阻抗谱。所获得的器件具有1.46 eV的开路电压(Voc)，27.53 mA/cm2的短路电流密度(Jsc)，填充系数(FF)为83.58%，效率(PCE)为 33.68%。
HTL、钙钛矿吸收层和ETL的优化厚度分别为0.2、1.8和0.02微米(μm)，而优化后每一层的掺杂浓度为1021/cm3。据报道，该器件在 290-310 K 范围内表现出显着的温度弹性，超过该范围的性能下降最小。这项研究凸显了无铅钙钛矿在下一代太阳能电池中的潜力，并表明通过仔细的材料选择和优化可以获得高效率。
(消息来源：perovskite-info.com, Journal of Physics and Chemistry of Solids)
