①尽管面临贸易紧张局势，印度税务官员表示，印度认为从美国增加进口存在潜力。
②印度多个部门，包括重工业和可再生能源部门，将举行行业咨询会议进行审查。
③印度还将对某些商品的关税附加费进行审查，其中包括奢侈汽车、太阳能电池。
此外值得注意的是，据路透社3日报道，特朗普已邀请印度总理莫迪下周访美。而在莫迪访美之前，印度正计划降低平均关税。据印度《经济时报》报道，为了避免特朗普不断升级的关税行动，印度在2月1日公布的最新预算中已将几项商品的平均进口关税税率从13%降至11%。外界普遍认为，印度渴望加强与美国的贸易关系，并希望避免特朗普此前的关税威胁真实发生。
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印度理工学院AshishGarg，SaurabhSrivastava，与SudhirRanjan团队研究发现，氯化铵能够削弱前驱体-溶剂的配位强度，并破坏有害六方多型体的稳定性。基于此策略，经氯化铵处理的1.73eV宽带隙钙钛矿太阳能电池实现了约18%的光电转换效率及1.22V的高开路电压，并展现出显著提升的光稳定性。深度精度1.本研究发现，挥发性氯化铵可作为高效添加剂调控宽带隙钙钛矿前驱体的溶剂配位化学，从而优化结晶过程。
该论文通过在钙钛矿太阳能电池（PSCs）中嵌入由2 - 羟丙基-β- 环糊精（HPβCD）和1,2,3,4 - 丁烷四羧酸（BTCA）组成的自交联超分子复合物，同时解决了铅泄漏、铅毒性及器件稳定性问题；改性后PSCs 冠军功率转换效率（PCE）达22.14%，严重破损器件经522 小时动态水冲刷仍保持97% 初始效率且铅泄漏量< 14 ppb（符合美国EPA 标准），铅毒性降至与无铅PSCs 相当水平，还实现了铅的闭环回收，为PSCs 商业化提供可持续路径。
近日，信用评级机构ICRA发布报告指出，美国对太阳能进口征收关税已对印度太阳能组件出口商造成显著冲击，迫使制造商将出口导向的产能转向国内市场，这进一步加剧了印度本土组件行业的供应过剩困境，行业利润率承压及小型企业整合潮已成大概率事件。
2025年10月29日，三菱汽车株式会社在同日开幕的2025年日本移动出行展上，三菱以“永恒冒险”为主题，全球首次发布Elevance豪华探险概念车，电动跨界SUV，四电机四驱系统，S-AWC超级全轮控制技术，插电混动，采用兼容碳中和燃料的发动机，提供清洁的电力驱动性能。大容量牵引电池也能提供充足的电力，搭配拖车使用，满足城市到越野探险的各种驾驶场景。ElevanceConcept是一款电动跨界SUV的概念车型。负责开发的三菱产品企划总经理MinoruUehara讲述了Elevance概念的由来。
近年来，该邦与中央邦已逐渐崛起为印度太阳能电池及组件制造的新兴核心地带，产业集聚效应持续显现。除已获批项目外，太阳能产业布局热潮仍在奥里萨邦持续升温。SaatvikSolar、KshomaGreenEnergy等多家企业已将戈帕尔布尔纳入太阳能组件及电池工厂的规划选址范围，当地光伏产业链集群化发展态势日益清晰。业内分析认为，奥里萨邦凭借优越的区位条件、完善的基础设施及持续优化的营商环境，正成为印度太阳能制造业投资的热门目的地。
近日，投资银行罗思资本的报告抛出一枚行业重磅：美国基于232条款对进口光伏多晶硅及其衍生物征收关税的细节，最早可能于本月底公布。罗思资本援引匿名人士消息指出，此次232条款调查进程的加速，与中国此前宣布的稀土出口管制及禁止措施存在关联，这一举措直接促使白宫加快了包括多晶硅关税在内的多项相关行动推进节奏。
根据投资银行罗思资本报告称，美国对多晶硅产品进口关税的细节可能将在本月底公布，原计划于2026年3月发布的232条款关税可能加速至本月底或11月中旬，主因中美稀土贸易紧张局势升级。7月14日，美国正式启动多晶硅232关税调查，原定于270天调查期将在2026年3月结束。在9月份的一份行业更新报告中，罗思资本表示，最终的232条款裁决可能与CPA的产品特定关税提议相似，尽管此前并无先例。
美国光伏制造商T1Energy于10月10日通过官网宣布，已对太阳能电池开发商TalonPV完成战略投资并收购其少数股权。据公告披露，T1Energy正推进位于德克萨斯州罗克代尔的G2_Austin太阳能电池工厂建设，该项目设计产能5GW，总投资达8.5亿美元，第一阶段预计2026年第四季度投产。作为此次投资的标的，TalonPV正在德州贝敦市开发4.8GW太阳能电池厂，计划2026年底投产。待G2_Austin与Talon工厂投产后，T1Energy将形成“电池-组件”完整制造能力，可充分对接美国本土光伏电站需求。
钙钛矿材料中高度能量无序导致严重的载流子非辐射复合，直接影响光伏器件的能量损失。目前，对钙钛矿太阳能电池中能量无序的调控及其与开路电压损失之间的关联尚不明确。本研究华侨大学吴季怀、北京大学朱瑞和西北工业大学涂用广等人通过原位NH生成调控钙钛矿结晶过程，提升了其能量有序度。最终，我们获得了乌尔巴赫能量低至23.7meV的高质量钙钛矿薄膜。
将CdTe与Se合金化形成CdSeTe半导体虽降低了复合，但CdSeTe中存在更复杂的缺陷态，会因载流子陷阱和陷阱限制的迁移率而限制效率进一步提升。
印度可再生能源企业 Integrated Batteries India(简称 IB Solar)近日宣布重大投资计划，将斥资 3000 亿卢比(约合 261.6 亿元人民币)，在印度大诺伊达(Greater Noida)建设一座先进的 4GW 太阳能电池制造工厂。
