慕尼黑工业大学Peter Müller-Buschbaum等最新AM：一种实用的老化处理策略来制备高重复性和高质量钙钛矿薄膜

2024年11月4日浙江大学余学功&杨德仁&苏州大学杨新波&张晓宏&阿卜杜拉国王科技大学Stefaan De Wolf于Nature Photonics刊发绒面硅上共沉积硫氰酸铜和钙钛矿制备高效稳定的钙钛矿/硅串联叠层太阳能电池的研究成果，通过硫氰酸铜（I）和钙钛矿的共沉积来解决这些挑战，其中通过嵌入的硫氰酸铜（I）同时实现有效的钙钛矿晶界钝化和有效的空穴收集，从而形成局部空穴收集接触。制造的单片钙钛矿/硅串联叠层器件在1 cm2面积器件上实现了31.46%的经认证功率转换效率。除了良好的再现性和可扩展性

非富勒烯有机太阳能电池的光伏性能本质上是由电荷陷阱的存在决定的。然而，它们在有机太阳能电池中的确切分布仍不清楚。鉴于此，2024年10月30日南京大学陈尚尚于Joule刊发非富勒烯有机太阳能电池中陷阱态的分布和演化的研究成果，报告了通过驱动级电容分析(DLCP)方法成功地分析了陷阱态的空间和能量分布。

“在负荷端，我们重点发展以IDC智算(互联网数据中心)为主的产业集群，仅仅用了6年时间，大同城市算力分指数就位居全国前3名。”11月1日上午，中共山西省委宣传部、山西省人民政府新闻办公室组织召开“推动高质量发展 深化全方位转型”系列主题第十场新闻发布会，大同市副市长李东升介绍了大同在持续深化能源革命综合改革，强力推动能源结构优化、产业体系更新方面所取得的成绩。

金属卤化物钙钛矿半导体在先进光电子学(包括太阳能电池、发光二极管和光电探测器)的应用方面取得了快速进展。特别是，钙钛矿太阳能电池(PSC)的认证功率转换效率 (PCE)已接近晶体硅和砷化镓太阳能电池的效率水平。

稳定性是阻碍钙钛矿太阳能电池商业化的最紧迫挑战，之前的努力更多地集中在增强钙钛矿太阳能电池对外部刺激的抵抗力上。鉴于此，2024年5月10日北京大学骆超&赵清于Angew刊发的钙钛矿太阳能电池中ITO引起的内部正反馈和铟离子传输研究成果，研究发现氧化铟锡(ITO)会通过正反馈循环恶化钙钛矿太阳能电池的光伏性能。具体来说，钙钛矿降解产物将穿过电子传输层，对电极ITO进行化学蚀刻，生成In3+，In3+向上迁移到钙钛矿薄膜中。然后，腐蚀ITO的反应消耗了钙钛矿的分解产物，改变了钙钛矿分解反应的平衡，进一步促进

2023年9月22日慕尼黑工业大学Peter Müller-Buschbaum&剑桥大学Richard H. Friend于AM刊发一种实用的老化处理策略来制备高重复性和高质量钙钛矿薄膜的研究成果，报道了一种简便实用的老化处理(AT)策略来调节钙钛矿晶体生长，以产生具有改善的均匀性和全覆盖形态的足够高质量的钙钛矿薄膜。

钙钛矿组件器件的效率和稳定性主要受到大面积钙钛矿薄膜质量和子电池侧接触的限制。鉴于此，2024年8月6日中科院半导体所游经碧于Nature Communications刊发通过高质量的均匀钙钛矿结晶和改进的互连制备高效稳定的钙钛矿微型模组的研究成果，本文首先报道了恒定低温衬底调节钙钛矿中间膜的生长，减缓钙钛矿中间膜的结晶，从而获得高质量的大尺度均匀钙钛矿薄膜，避免了环境温度对薄膜质量的影响。其次，在顶层功能层沉积前加入P1.5刻划步骤，在互连界面处“自然”形成扩散阻挡层，无需引入任何额外材料，很好地缓解了

近日，浙江省科学技术厅发布了《关于公布2023年新认定省级企业研发机构名单的通知》，一道新能申报的“浙江省一道新能高效电池与组件企业研究院”凭借N型光伏技术的创新引领成功入选！同时，浙江省经济和信息化厅发布了《2023年（第30批）浙江省企业技术中心名单》，一道新能企业技术中心被认定为浙江省企业技术中心，使一道新能继获批《光伏器件与系统浙江省工程研究中心》后，再添两项省级高端研发平台认定，充分体现了一道新能在高水平研发平台建设方面取得的突破。

2023年9月22日慕尼黑工业大学Peter Müller-Buschbaum&剑桥大学Richard H. Friend于AM刊发一种实用的老化处理策略来制备高重复性和高质量钙钛矿薄膜的研究成果，报道了一种简便实用的老化处理(AT)策略来调节钙钛矿晶体生长，以产生具有改善的均匀性和全覆盖形态的足够高质量的钙钛矿薄膜。

在钙钛矿光伏电池界面形成的适当异质结将极大地帮助有效的载流子提取和传输。对于n-i-p器件，钙钛矿的薄膜质量受到电子传输层（ETL）和钙钛矿层之间界面特性的影响。鉴于此，2023年7月12日苏州大学王照奎于Nano Energy刊发前电场实现高效钙钛矿光伏发电的研究成果，将基于背表面场（BSF）技术概念的“前表面场”引入钙钛矿光伏发电中。通过在ETL和钙钛矿层之间的界面添加有效的n型分子缓冲层（萘，2,6-萘二甲酸（2,6-NDA））来优化器件的能带排列。界面处产生的电场使界面接触更加完美，有效抑制界面电