发光二极管(LED)在现代社会中无处不在，其应用范围从照明和显示到医疗诊断和数据通信。金属卤化物钙钛矿因其优异的光电性能和溶液加工性能而成为很有前景的LED材料。尽管在优化其外部量子效率方面的研究取得了实质性进展，但钙钛矿LED的调制特性仍不清楚。鉴于此，2023年7月20日电子科技大学巫江&萨里大学张伟&剑桥大学Qixiang Cheng&牛津大学Henry J. Snaith于Nature Photonics刊发硅上高带宽钙钛矿光子源的研究成果，报告了一种基于钙钛矿系统中的烷基铵阳离子在硅上实现快速钙钛矿光子源的整体方法。揭示了带电物质在不同载流子密度范围内的复合行为与其调制性能相关。通过在硅上集成法布里-珀罗微腔，展示了具有高效光输出耦合的钙钛矿器件。实现了高达 42.6 MHz的设备调制带宽和超过50 Mbps的数据速率，进一步分析表明带宽可能超过千兆赫水平。这里开发的原理将支持下一代数据通信架构的钙钛矿光源的开发。硅基板上溶液制备钙钛矿发射器的演示也开启了与微电子平台集成的可能性。
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