鉴定委员会由7位专家组成，中国电子专用设备工业协会孙洪涛秘书长担任技术鉴定会主任委员，中国电子材料行业协会袁桐秘书长担任技术鉴定会副主任委员，中国半导体行业协会陈贤秘书长、中国科学院电工研究所太阳电池技术研究室主任王文静研究员、北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司事业部总经理张建勇、北京七星华创电子股份有限公司工业炉分公司副总经理谭三成、中国电子科技集团公司第四十五研究所副总工程师张续业等专家任技术鉴定委员会委员。鉴定委员会认为：京运通公司提供的技术鉴定文件齐全、规范，符合鉴定要求；该设备结构合理、性能优越，攻克了重大共性关键技术之中机械部分的上、下轴高度同心技术，上轴行程2000mm，下轴行程2600mm，可以拉制长度在2500mm以内的单晶硅棒；同时在单晶生长棱线识别系统、高精密夹持技术、大直径多晶硅棒原料熔化技术、区熔热场设计等方面具有创新性。主要技术指标满足6英寸区熔单晶生长的要求。已申请专利 2 项，其中发明专利1项，形成了具有自主知识产权的6英寸区熔单晶炉的设备制造技术，该设备的性能指标达到了国产设备的领先水平；用该设备研发拉制了6英寸区熔单晶硅棒的工艺,并实现连续成功拉制。拉制的6英寸区熔单晶硅棒长度可达1.4米，等径部分长度1.1米，重达52公斤，填补了国内空白。鉴定委员会同意通过该设备的技术鉴定。
国家02专项办、北京市经信委、北京市科委、北京经济技术开发区等相关部门领导也出席了此次技术鉴定会，并听取了京运通公司所作的研制总结报告，考察了生产现场。
区熔硅单晶较一般电子级单晶硅具有更高纯度和更高电阻率，其产品销售价格数倍于直拉单晶。在应用领域上主要是用于IGBT器件、高压整流器、大功率晶闸管，可控硅、电力电子器件、光敏二极管、射线探测器、红外探测器以及国防建设、航天、航空和航海等尖端科技领域，对国民经济发展和国防建设有着十分重要的作用，目前市场存在很大缺口，具有非常广阔的产业前景。高压大功率IGBT功率器件的发展要求高质量的单晶硅，对硅晶体中杂质和缺陷的控制要求极高，因而，在将来相当长一段时间内6英寸及以上大直径区熔单晶硅始终是制造IGBT器件的主要基础材料。
无论是国际还是国内区熔单晶硅发展形势都非常好，但国内的大直径生产设备则全部是引进国外的，国内还没有具备生产大直径（5英寸以上）区熔单晶硅的设备的企业。 区熔单晶硅生长炉是生产区熔单晶硅片的关键设备之一，世界上生产和销售区熔炉的厂家只有丹麦的TOPSOE等少数几家公司，目前国内设备保有量仅有十几台，且大直径的区熔硅单晶炉都是进口，价格在2000万元人民币以上。而区熔单晶的制作工艺也需技术引进。公司的JQ-800区熔单晶炉的成功研制，填补了国内的这一项技术空白，具有划时代的历史意义。
由京运通公司研制的国产大型区熔单晶炉于近日连续成功拉制出6英寸区熔单晶硅棒，拉制出的首根6英寸区熔单晶棒整根重量达52公斤，等径长度1.1米，全长1.4米，这是大型区熔单晶硅炉研制的重大且可喜的进步。同时公司研制的区熔单晶炉之前拉制出的5英寸区熔单晶硅棒经第三方检验，结果显示该5英寸区熔单晶硅棒品质合格，各项指标均达到了设计要求。5英寸区熔单晶硅棒的质检合格报告及6英寸区熔单晶硅棒的成功拉制，意味着我公司的区熔单晶硅炉研制项目取得了重大技术成果！这是国内首次应用国产设备成功实现6英寸区熔单晶硅的工艺生产，是国产区熔设备研制的重大突破，也是国产区熔设备的历史性时刻，标志着国产区熔设备真正打破了国外对5-6英寸区熔单晶生产设备的垄断，是向大尺寸区熔单晶设备产业化迈进的重大一步，更预示着国产高端设备的崛起。
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