据介绍，铸锭单晶硅片G3基于保利协鑫最新的整锭全单晶技术平台，批量生产的整锭单晶硅片G3在常规工艺下的电池转换效率可达19.52%，在PERC电池工艺下可达20.85%，与同样工艺的直拉单晶效率相差不超过0.5个百分点。与同样边长的直拉单晶硅片相比，整锭单晶硅片面积更大，组件封装损失更小。普通单晶电池工艺的G3硅片60片组件功率达到280-285瓦，应用PERC工艺可达295-300瓦。
不仅如此，G3硅片还继承了铸锭技术产品“光衰”较低的优点，氧含量仅为直拉单晶的一半，甚至优于常规多晶硅片，因而由此带来的组件光衰显著优于传统直拉单晶。对应用端来说，G3新产品同时实现了“高效率”、“低衰减”的双重目标，实际输出功率更高。
保利协鑫首席技术官万跃鹏在发布会上坦言对G3新产品同时实现高效率、低成本的信心。他表示，由于铸锭单晶技术产出的同样是晶向一致、位错密度低的单晶，可与传统直拉单晶一样使用碱制绒工艺，因此转换效率非常接近直拉单晶产品，并完全适用于PERC等高效电池技术，带来更高的产品效率。同时，G3新型单晶使用铸锭技术，单次投料量大，生产成本明显优于采用“一炉三根”、“一炉四根”的直拉法单晶。再加上G3产品杂质低，可采用金刚线切片技术，因此降本成效显著。
万跃鹏表示，保利协鑫预测2020年前可以实现光伏平价上网，并据此制定了光伏材料的成本下降路线图。根据规划，保利协鑫预计在2020年前硅片成本下降30%，全新一代铸锭单晶技术就是关键性发展方向之一。业界也对此寄予厚望。晋能科技总经理杨立友博士在发布会上表示，就铸锭技术而言，G3新型单晶产品带来了转换效率的“质”的提升，相信在国内强大的光伏产业链的支撑下，铸锭单晶技术在未来将有很大的发展空间。
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