Mercom Capital最新季度报告显示，至今年八月，印度的累计太阳能发电量超过8.1吉瓦，当年设备安装量达2.8吉瓦，预计2016全年新增安装量可达4.8吉瓦。
该国的太阳能项目库已升至21吉瓦左右，其中14吉瓦已在建设中，另7吉瓦的拍卖计划也已设定。来自中国的创记录低价太阳能组件成为了不可忽视的推动因素。
Mercom计算出，中国进入印度的组件平均价格约为每瓦0.39美元，为全球最低。由于中国组件持续供过于求，迫使顶级公司转而开拓邻近市场，价格还有进一步下跌的可能。印度的太阳能开发商们均在抢购这些低价太阳能电池板，后者占据了项目成本的60%。
目前，印度太阳能产业尽管面临着一些挑战，但总体状况健康，并呈现出成熟的迹象。八月的第一轮储能招标将投放300兆瓦的产能，而印度太阳能公司(SECI)也宣布了一项2.24亿美元的付款担保基金，提供给特定的项目开发商。
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近日，印度新能源与可再生能源部发布政策导向，要求金融机构对新增独立太阳能组件产能融资采取谨慎态度，同时将资金支持重点转向硅锭、硅片、多晶硅等上游环节及关键辅助部件领域，以破解国内光伏产业链“下游过剩、上游空白”的结构性失衡难题。该协会此前致函MNRE指出，印度组件产能已接近国内年需求的4倍，截至11月纳入“获批型号与制造商名单”的组件产能达122吉瓦，而同期电池产能仅18.48吉瓦。
12月3日，中国电建2026年度光伏组件框架入围集中采购项目、中国电建2026年度光伏逆变器框架入围集中采购项目公开招标公告发布。根据公告，此次集采光伏组件采购规模总量为31GW，光伏逆变器采购规模总量为31GW。本次招标将按各包件分别确定中国电力建设集团(股份)有限公司2026年度光伏组件入围供应商，并签订框架协议，框架协议有效期至下一年度集中采购结果正式公布为止。
本次招标将按各包件分别确定中国电力建设集团(股份)有限公司2026年度光伏组件入围供应商，并签订框架协议，框架协议有效期至下一年度集中采购结果正式公布为止。集团(股份)公司所属各子企业各规格型号光伏组件的采购均按照框架入围名单及协议执行。具体应符合下列条件：1、应是具有独立法人资格的光伏组件研发和制造企业。
近日，美国贸易代表办公室宣布，将178项太阳能制造设备的301条款关税豁免期限延长至2026年11月10日，原豁免期限本将于2025年11月29日到期。这一举措与美国近年太阳能关税政策形成对比。业内分析认为，美国延长设备豁免但维持终端产品高关税，体现其“保障本土制造能力”与“满足能源转型需求”的平衡考量。当前美国太阳能装机需求旺盛，但本土设备制造产能不足，短期内仍高度依赖进口，此次豁免延长为相关企业调整供应链争取了时间窗口。
本研究引入二苯基碳酸酯作为双功能分子调控剂，可同时调控FAPbI薄膜的成核与生长过程。这种协同调控机制获得了均匀、大晶粒的钙钛矿薄膜，并显著降低了缺陷密度。因此，基于DPC的钙钛矿太阳能电池实现了26.61%的冠军效率，优于对照组器件。
近日，中国Sunman集团宣布，将在新南威尔士州亨特谷投建该国最大太阳能组件制造厂，项目获联邦与州政府共1.71亿澳元资金支持。
11月30日，中国气候变化事务特使刘振民一行莅临通威太阳能参观调研。调研组一行深入通威太阳能零碳工厂参观指导在通威光伏科技馆，调研组通过数据展示、模型演示及场景化内容，系统了解了通威在产业链布局、上下游协同、技术创新等方面的整体实力与实践成果。
当地时间11月26日，美国贸易代表办公室，将把针对中国技术转让和知识产权问题、依据301条款调查所设立的关税的豁免延长至2026年11月10日。现有豁免条款原定于今年的11月29日到期。14项HTSUS税目9903.88.70以及美国注释U.S.note20定义的税号产品，主要是太阳能和硅片制造设备等多个领域，具体如下：
2D/3D钙钛矿异质结构提升了钙钛矿太阳能电池的性能。本文南京航空航天大学赵晓明等人研究了芳香铵配体的吸电子强度对钙钛矿界面稳定性的影响。此外，组件在30天户外运行中保持稳定的功率输出，显示出其在实际应用中的潜力。研究亮点：配体吸电子能力调控界面稳定性：通过杂环中氧原子数量的增加，系统调控芳香铵配体的吸电子能力，最强吸电子配体ABDI有效抑制2D相形成并阻止离子互扩散。
本文兰州大学曹靖等人设计了一种具有强偶极矩与多重配位位点的可溶液加工四磺酸基卟啉中间层，通过简单的水相后处理垂直锚定在SnO/钙钛矿界面。磺酸基的强吸电子特性赋予卟啉分子显著的固有偶极矩，显著促进电子从钙钛矿向SnO的高效提取与传输。经修饰的钙钛矿模块实现了24.49%的光电转换效率，位居已报道最高水平之列，小面积器件效率达26.66%。
P1-P2-P3划线定义死区与有效区，越窄死区越高GFF。P2划线激光能量窗口测试，1.57Jcm会伤FTO，0.94Jcm最佳。EDX与SEM证实P2/P3均干净暴露FTO，无残层。TLM测试P2接触电阻仅0.47Ω·cm，传输长度0.27mm，接触优良。4cm模块P2/P3均45μm时GFF达99.3%，PCE13.22%，为连续划线最高值。P3宽度增加系列电阻略升，性能微降，仍保持98%GFF。6-7cell平衡电阻与面积，效率最高；cell数再增性能略降。
