意法半导体推出全新M系列1200V IGBT，以先进的沟槽式场截止（trench-gate field-stop）技术为特色，可最大幅度地降低电压过冲，消除关机期间常出现的振荡现象，有效提升太阳能逆变器、焊接设备、不断电系统与工业马达驱动器等多项应用的能效与可靠性。
高度优化的传导性与关断性以及低导通耗损，让全新进化的IGBT特别适合用于执行频率高达20kHz的硬式开关电路；可承受的最高工作温度提高至175°C，宽安全工作范围无锁定效应，150°C时的短路耐受时间为10µs。
同时，低饱和电压可确保新产品具有很高的传导效率、正温度系数与窄饱和电压范围可简化新产品的平行设计，有助于提高功率处理性能。此外，新产品与IGBT反向平行的新一代二极管一同封装，带来快速的恢复时间和更佳的软度回复特性且不会使导通耗损明显上升，进而实现更出色的EMI性能表现。
高度优化的传导性与关断性以及低导通耗损，让全新进化的IGBT特别适合用于执行频率高达20kHz的硬式开关电路；可承受的最高工作温度提高至175°C，宽安全工作范围无锁定效应，150°C时的短路耐受时间为10µs。
同时，低饱和电压可确保新产品具有很高的传导效率、正温度系数与窄饱和电压范围可简化新产品的平行设计，有助于提高功率处理性能。此外，新产品与IGBT反向平行的新一代二极管一同封装，带来快速的恢复时间和更佳的软度回复特性且不会使导通耗损明显上升，进而实现更出色的EMI性能表现。
