意法半导体推出全新M系列1200V IGBT，以先进的沟槽式场截止（trench-gate field-stop）技术为特色，可最大幅度地降低电压过冲，消除关机期间常出现的振荡现象，有效提升太阳能逆变器、焊接设备、不断电系统与工业马达驱动器等多项应用的能效与可靠性。

高度优化的传导性与关断性以及低导通耗损，让全新进化的IGBT特别适合用于执行频率高达20kHz的硬式开关电路；可承受的最高工作温度提高至175°C，宽安全工作范围无锁定效应，150°C时的短路耐受时间为10µs。

同时，低饱和电压可确保新产品具有很高的传导效率、正温度系数与窄饱和电压范围可简化新产品的平行设计，有助于提高功率处理性能。此外，新产品与IGBT反向平行的新一代二极管一同封装，带来快速的恢复时间和更佳的软度回复特性且不会使导通耗损明显上升，进而实现更出色的EMI性能表现。

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意法半导体逆变器产业光伏逆变器

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为将这一理念转化为现实解决方案，禾望电气联合上海中绿新能源科技有限公司，依托主力电源型新能源场站整体解决方案，成功研制全球首个实际应用的构网型光伏逆变器。基于这一重大突破，双方联合发布了《采用自同步技术的构网型光伏逆变器白皮书》。欢迎点击文末的或前往下载阅读《采用自同步技术的构网型光伏逆变器白皮书》，共同探索零碳路径！

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