太阳能光伏组件产量2014年有机会达到50GW，一线光伏厂商仍主要采用常规技术路线
NPD Solarbuzz上海办公室，2013年10月29日---根据NPD Solarbuzz最新研究报告 PV Equipment Quarterly，多晶组件将主导2014年的太阳能光伏市场，62%的组件生产采用P型多晶技术。
目前太阳能光伏生产商正计划将2014年的组件产量提高25%，达到49.7GW，2013年的组件产量为39.7GW。这与NPD Solarbuzz将明年太阳能光伏终端市场需求量预测提高到45-55GW相一致。
NPD Solarbuzz副总裁Finlay Colville表示：“光伏制造商在整个价值链中仍将降本放在首位，并通过高质量的多晶硅片达到增效降本的目的。虽然可能出现短期供应不足的问题，但硅料和硅片的供应被认为可以满足2014年45-50GW组件发货的需求。中国电池片和组件供应商将继续采取灵活的制造战略，预计将在明年下半年增加产能。”
薄膜产品市场份额预计将继续缩小，从今年的9.4%降到明年的8.9%。2013年是过去八年来对新薄膜生产设备投资最少的一年，但由于现有和新供应商的产能提高，预计2015年薄膜设备投资将有显著增加。全球前两位薄膜供应商First Solar和Solar Frontier 2014年的产量将占所有薄膜组件产量的85%。
标准P型多晶组件技术将继续领导太阳能光伏生产，占2014年组件产量的35%。但是，2014年增长势头最强劲的将是改进P型多晶技术，包括二次印刷、离子注入、选择性发射极、MWT/EWT，以及背面钝化等。此类技术的占比将从2013年的23.8%增长到2014年的27.2%。
虽然采用高效P型和N型单晶技术的组件占比将从2013年的29.6%下降到2014年的29.3%，但由于行业产量整体增加，所以这两种技术的产品产量将在2014年增长2.8GW。高效晶硅组件产量的增长归功于屋顶太阳能光伏应用，例如日本终端市场的爆发，以及像SunPower和松下这样的一线供应商通过下游渠道继续保持组件价格优势。
Source: NPD Solarbuzz
中国领先的供应商将在2014年继续增加P型多晶产品产量，这是将利润率恢复到2012年之前水平的捷径。此外，他们也非常谨慎的将下一代技术从实验室引入量产。这种双重战略将在未来两到三年内继续阻碍其他技术成为主流技术路线。
NPD Solarbuzz上海办公室，2013年10月29日---根据NPD Solarbuzz最新研究报告 PV Equipment Quarterly，多晶组件将主导2014年的太阳能光伏市场，62%的组件生产采用P型多晶技术。
目前太阳能光伏生产商正计划将2014年的组件产量提高25%，达到49.7GW，2013年的组件产量为39.7GW。这与NPD Solarbuzz将明年太阳能光伏终端市场需求量预测提高到45-55GW相一致。
NPD Solarbuzz副总裁Finlay Colville表示：“光伏制造商在整个价值链中仍将降本放在首位，并通过高质量的多晶硅片达到增效降本的目的。虽然可能出现短期供应不足的问题，但硅料和硅片的供应被认为可以满足2014年45-50GW组件发货的需求。中国电池片和组件供应商将继续采取灵活的制造战略，预计将在明年下半年增加产能。”
薄膜产品市场份额预计将继续缩小，从今年的9.4%降到明年的8.9%。2013年是过去八年来对新薄膜生产设备投资最少的一年，但由于现有和新供应商的产能提高，预计2015年薄膜设备投资将有显著增加。全球前两位薄膜供应商First Solar和Solar Frontier 2014年的产量将占所有薄膜组件产量的85%。
标准P型多晶组件技术将继续领导太阳能光伏生产，占2014年组件产量的35%。但是，2014年增长势头最强劲的将是改进P型多晶技术，包括二次印刷、离子注入、选择性发射极、MWT/EWT，以及背面钝化等。此类技术的占比将从2013年的23.8%增长到2014年的27.2%。
虽然采用高效P型和N型单晶技术的组件占比将从2013年的29.6%下降到2014年的29.3%，但由于行业产量整体增加，所以这两种技术的产品产量将在2014年增长2.8GW。高效晶硅组件产量的增长归功于屋顶太阳能光伏应用，例如日本终端市场的爆发，以及像SunPower和松下这样的一线供应商通过下游渠道继续保持组件价格优势。
Source: NPD Solarbuzz
中国领先的供应商将在2014年继续增加P型多晶产品产量，这是将利润率恢复到2012年之前水平的捷径。此外，他们也非常谨慎的将下一代技术从实验室引入量产。这种双重战略将在未来两到三年内继续阻碍其他技术成为主流技术路线。
索比光伏网 https://news.solarbe.com/201310/29/43574.html
