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工信部:光伏制造行业规范条件(征求意见稿)

来源:索比太阳能光伏网发布时间:2013-08-28 13:22:22作者:Sunny
为深入贯彻落实科学发展观,引导光伏制造行业加快转型升级,推动我国光伏产业持续健康发展,根据国务院《关于促进光伏产业健康发展的若干意见》(国发[2013]24号)和国家有关法律法规及产业政策,按照优化布局、调整结构、控制总量、鼓励创新、支持应用的原则,特制定光伏制造行业规范条件。

一、生产布局与项目设立

(一)光伏制造企业及项目应符合国家资源开发利用、环境保护、节能管理等法律法规要求,符合国家产业政策和相关产业规划及布局要求,符合当地土地利用总体规划、城市总体规划、环境功能区划和环境保护规划等要求。

(二)在国家法律法规、规章及规划确定或省级以上人民政府批准的基本农田保护区、饮用水水源保护区、自然保护区、风景名胜区、重要生态功能保护区和生态环境敏感区、脆弱区等法律、法规规定禁止建设工业企业的区域不得建设光伏制造项目。上述区域内的现有企业应逐步迁出。

(三)严格控制新上单纯扩大产能的光伏制造项目。对加强技术创新、降低生产成本等确有必要的新建和改扩建项目,报行业主管部门及投资主管部门备案。新建和改扩建光伏制造项目,最低资本金比例为20%。

二、生产规模和工艺技术

(一)光伏制造企业应采用工艺先进、节能环保、产品质量好、生产成本低的生产技术和设备。

(二)光伏制造企业应具备以下条件:在中华人民共和国境内依法注册成立,具有独立法人资格;具有太阳能光伏产品独立生产、供应和售后服务能力;具有省级以上独立研发机构、技术中心或高新技术企业资质,每年用于研发及工艺改进的费用不低于总销售额的3%且不少于1000万元人民币;申报符合规范名单时上一年实际产量不低于本条第(三)款产能要求的50%。

(三)光伏制造企业按产品类型应分别满足以下要求:

1.多晶硅项目每期规模大于3000吨/年;

2.硅锭年产能不低于1000吨;

3.硅棒年产能不低于1000吨;

4.硅片年产能不低于5000万片;

5.晶硅电池年产能不低于200MWp;

6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp;

7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp。

(四)现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求:

1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》(GB/T25074)1级品的要求;

2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2μs,电阻率在1-3Ω.cm,碳、氧含量分别小于16和18PPMA;单晶硅片少子寿命大于10μs,电阻率在1-3Ω.cm,碳、氧含量分别小于10和18PPMA;

3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%;

4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%;

5.硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、10%、11%、10%。

(五)新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求:

1.多晶硅满足《硅多晶》(GB/T12963)2级品以上要求;

2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2.5μs,电阻率在1-3Ω.cm,碳、氧含量分别小于8和6PPMA;单晶硅片少子寿命大于11μs,电阻率在1-3Ω.cm,碳、氧含量分别小于8和6PPMA;

3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于18%和20%;

4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17.5%;

5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12%、13%、12%。

(六)多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率在2年内分别不高于3.2%和4.2%,25年内不高于20%;薄膜电池组件衰减率在2年内不高于5%,25年内不高于20%。

三、资源综合利用及能耗


(一)光伏制造企业和项目用地应符合国家已出台的土地使用标准,严格保护耕地,节约集约用地。

(二)光伏制造项目能耗应满足以下要求:

1.现有多晶硅项目还原电耗小于80千瓦时/千克,综合电耗小于140千瓦时/千克;新建和改扩建项目还原电耗小于60千瓦时/千克,综合电耗小于100千瓦时/千克;

2.现有硅锭项目平均综合能耗小于9千瓦时/千克,新建和改扩建项目小于7千瓦时/千克;如采用多晶铸锭炉生产准单晶或高效多晶产品,项目平均综合能耗的增加幅度不得超过0.5千瓦时/千克;

3.现有硅棒项目平均综合能耗小于50千瓦时/千克,新建和改扩建项目小于45千瓦时/千克;

4.现有多晶硅片项目平均综合能耗小于60万千瓦时/百万片,新建和改扩建项目小于55万千瓦时/百万片;现有单晶硅片项目平均综合能耗小于40万千瓦时/百万片,新建和改扩建项目小于35万千瓦时/百万片;

5.电池项目平均综合能耗小于15万千瓦时/ MWp;

6.晶硅电池组件项目平均综合能耗小于8万千瓦时/ MWp;薄膜电池组件项目平均能耗小于50万千瓦时/MWp。

(三)光伏制造项目生产水耗应满足以下要求:

1.多晶硅项目水循环利用率不低于95%;

2.硅片项目水耗低于1400吨/百万片;

3.电池项目水耗低于1700吨/MWp。

(四)其他生产单耗需满足国家相关标准。

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