晶体硅背接触电池需进一步简化工艺

另外，制备EWT电极时还可用Al-P共扩散的方法，与传统方法一样都是要先用激光打孔，在电池背面同时用丝印的方法印上有P和Al的叉指电极，面积比约为1∶1，然后一起放进烧结炉里进行烧结，这样可大大节省工艺步骤，但是由于激光损伤和表面没有钝化，使得表面复合略显增加而且效率也只有10%，所以这个工艺还有一些参数需要去改善，例如背电极、激光参数等都还需要优化。

实验室中对MWT和EWT的扩散也有用干法扩散的，其磷源片种类很多，主要成分有磷酸镧、CeP5O14、SiP2O7几种，硼源片的主要成分有B2O3、BN和SiO2的混合物两种，扩散时在源片的同一石英舟上放上要扩散的硅片，待炉温加热至850℃的时候缓慢将石英舟推入恒温区，并一直通氮气，P扩散一小时后其方阻约在R=20～30Ω/sq的范围内，均匀性也较好，而且背面不用做遮挡，但是尾气是有毒的，需要进行处理。另外，源片的保存是个很重要的问题，要求干燥，而且要定期进行烘干，若保管不善会减少源片的使用寿命。

减反层折射率控制在2.3左右

晶体硅太阳电池中少数载流子的复合导致了光生载流子的损失，从而引起了电池效率的降低。而硅片中少数载流子的寿命值在很大程度上受到硅片表面形状的影响，如果在硅表面加一层氧化层，硅与氧化层之间的内表面上绝大部分硅原子的未饱和键都被氧化层中的原子所填补，因而降低表面态密度，这就是钝化层的作用。

玻璃的折射率n0为1.5，晶体硅的折射率nsi为3.6，最合适的减反射膜的光学折射率经过计算为2.3。所以要想做良好的减反层，折射率就需要控制在2.3左右。

SiO2可以有效地减小表面态，减少表面复合，从而起到钝化的作用。但是制备SiO2的时候需要高温条件，长时间的高温条件易使质量较差的单晶及多晶硅衬底产生缺陷，导致硅片少子寿命的下降，并引起衬底掺杂浓度的再分布。许多有害杂质也会在高温条件下扩散到硅片体内。早期就有人提出SiNx是理想的减反射膜，而且还可以同时达到表面钝化和体内钝化的效果。PECVD法沉积的氮化硅膜的折射率可以通过调节反应气体的流量进行调整，一般可调范围在1.9～2.5之间。SiNx薄膜还有着卓越的抗氧化和绝缘性能，同时具有良好的阻挡钠离子、掩蔽金属和水蒸气扩散的能力。这些优点是其他钝化膜所不能比拟的，因此是一种用作晶体硅太阳电池减反射及钝化薄膜的理想材料。