晶体硅背接触电池需进一步简化工艺

发表于：2013-05-08 10:33:08 来源：中国电子信息报

热生长的SiO2由于其良好的致密性，具有很好的表面钝化作用，而PECVD法沉积SiNx膜对硅片的表面和体内都有一定的钝化作用。由于短波长的光在电池的上表面很小的薄层内有很大的吸收，因此为了更好地降低电池的上表面复合速率，提高电池的短波响应，同时结合热生长SiO2的表面钝化特性以及PECVD法沉积SiNx良好的减反射以及体钝化特点，硅片表面先生长一层SiO2薄膜，然后在SiO2薄膜上生长一层SiNx。这也是因为SiNx与硅片的附着力不好，容易脱落，通常SiNx中含有电荷，当作为P型钝化的时候有可能会形成一个反型的通道，所以对于N型钝化有理想的效果。

背电极制备以丝网印刷技术为主流

MWT和EWT的基极和发射极都在背面，这就要求两个电极尽可能接近但又不能短路。早期用光刻的方法，但工艺繁琐、成本相对较高，后来随着丝网印刷技术的发展，在制备MWT电极的时候大多采用丝网印刷技术。

MWT需要用丝网印刷技术在前后表面丝印母线和细栅线电极，并且可以填充孔洞，这些都是影响MWT电池性能的直接因素。现在大多数电池的丝网印刷采用银浆来做电极，因为银有良好的导电性，为了降低成本也有用铝浆或者银铝浆的。MWT对浆料也有很多要求，首先是要有良好的黏附性，在丝印的过程中要保证浆料把孔洞填满，不能有缝隙;其次要求高温烧结的过程中不能有太大的收缩，以免从孔壁上脱落下来，裂缝和过度收缩都会大大增加电池的串联电阻。

通过优化浆料金属化的工艺过程，已可获得效率达到16%的多晶硅MWT电池。2010年也有研究人员用丝印的方法制备EWT电池，在单晶衬底上作出了16%转换效率。

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