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晶体硅背接触电池需进一步简化工艺

发表于:2013-05-08 10:33:08     来源:中国电子信息报
  光伏作为新能源的一种,受到了各国的极大重视。如何对现有常规P型晶体硅技术进行升级改造,提升效率和降低成本,是各厂家必须面对的问题。目前首要解决的问题就是要降低新电池成本、保持高效,以便大规模应用。现在为降低成本所研究的高效电池主要是从减少表面陷光、表面遮光损耗等几个方面入手。为了减少表面遮光就要把栅线做得很细,但是细的栅线又会使得电极接触电阻增加,同时也增加了工艺难度,所以早在20世纪70年代就有人提出背接触太阳能电池的概念。该技术基本消除了正面栅线电极的遮光损失,更加充分地利用了光照,提高了电池效率。同时,背接触电池还将电池的两极从背面引出,降低了封装难度,简化了制作工艺,使得电池更加美观。MWT和EWT是背接触电池的二种形式,属于前结电池形式,发射极位于电池正面,有利于更多载流子的收集。MWT和EWT不完全依赖于栅线收集载流子,主要是通过对衬底打孔,通过不同的方式向孔洞中填充金属或者重扩,实现前后发射极间的电流传输,与传统电池相比,减小了正面的遮光面积,还不影响正面载流子的收集,从而提高了电池效率。本文将从这两种高效晶硅太阳能电池的结构及其关键技术做进一步的分析和介绍。
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