晶体硅背接触电池需进一步简化工艺

发表于：2013-05-08 10:33:08 来源：中国电子信息报

制绒改善表面反射率

与传统电池一样，MWT和EWI电池都需要在表面进行制绒。制绒的主要目的是将其表面的反射率降到10%以下。制绒的方法很多，包括激光刻槽技术、反应离子刻蚀技术、掩膜刻蚀法、电化学腐蚀、化学腐蚀法等。

在MWT和EWT中有用酸腐蚀的，也有用碱腐蚀的，因为这两种类型的电池对衬底的要求都不高，既有多晶也有单晶，所以不同衬底可以选择各自适当的方法，但不论哪种腐蚀都可以改善激光打孔对硅片带来的损害，减小激光打孔对孔壁高温灼烧的影响，为制备电池之后的工艺打下良好的基础。

现在MWT和EWT在制绒中采用金字塔、纳米柱、倒金字塔等绒面设计，其中陷光效果最好的是纳米柱结构，它不仅改变了硅的表面形貌，还增强了可见光的吸收。

湿法扩散可增加均匀度

扩散是制备太阳能电池的核心步骤，通过扩散可在硅衬底上形成PN结。企业里通常使用的方法是湿法扩散，用POCl3作为磷源，BBr3作为硼源。金属化孔洞填充存在的问题是经过高温烧结后很难形成连续的通道，所以EWT要求孔洞中进行重扩降低接触电阻，并以此来作为电流传输的通道。

现在量产MWT和EWT通常采用的是湿法扩散，扩散浓度越高其表面的方块电阻就会相应减小，如果衬底是P型硅片，进行磷扩散，通常用的湿法扩散是将两片硅片紧贴在一起，在850℃的扩散炉里用液态POCl3进行磷扩散，如果扩散时间分别为90分钟左右的话，用四探针法进行测量，扩散硅片的方块电阻在R=20～30Ω/sq的范围内，之后用10%的HF去除硅片表面的磷硅玻璃，再用大量的冷、热去离子水进行冲洗，其优点就是扩散得比较均匀。

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