晶体硅背接触电池需进一步简化工艺

发表于：2013-05-08 10:33:08 来源：中国电子信息报

激光打孔技术应用日趋广泛

简化工艺是MWT和EWI电池制备的发展趋势。首先从打孔技术看，MWT和EWT电池的制备都需要打孔，MWT中的金属化孔洞主要起到连接前后两面发射极的作用，主要收集载流子的还是表面栅线。而EWT对打孔的要求更高，它表面没有一点遮光的栅线，全部都是通过孔洞来收集载流子并且传输到背面的发射极上，单位面积上孔的数目更是远大于MWT。早期有用化学腐蚀、光刻和激光刻槽的方法进行孔的制备，这些方法工艺繁琐而且成品率也不够高，但后来随着激光技术的发展，现在大量生产的MWT和EWT都用激光打孔技术，尤其是有些多晶电池的制备，用化学腐蚀方法制孔很难得到大小均匀的孔洞，而且现在成熟的激光技术在打孔后可以改善Si材料的本身性质，所以现在量产的MWT和EWT都采用激光技术。

不论MWT还是EWT其孔径都在30微米～100微米之间，成熟的激光技术对于孔径和孔壁的均匀性都有比较理想的表现，在MWT电池的晶片上，其孔洞的数目大约在100个～300个左右;在EWT的晶片上现在标准都是每1毫米的间隔有1个孔。目前对EWT打孔存在的困难主要在于缩短打孔时间、提高成功率和无损伤等方面，所以对激光的频率和重复率要求更高。

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