首页 资讯信息 研究咨询 服务应用 展会会议 视频图片 期刊专栏 新媒体
关闭
关闭

IGBT/MOSFET技术促使太阳能面板转换效率猛进

发表于:2011-09-26 11:51:26    

索比光伏网讯:随着节能观念兴起,再生能源的发电效率也逐渐受到重视,为迎合市场需求,太阳能业者皆无所不用其极努力打造节能高效的太阳能发电系统。受惠近期太阳能光伏逆变器中的IGBT与MOSFET两项功率元件技术显著进步,太阳能面板转换效率已大幅提升。

IGBT技术演进日趋成熟

IGBT与N通道(N-ch)型MOSFET不同处在于,N-ch型MOSFET的基板极性为N;而IGBT的基板极性为P。由IGBT的构造图可看出,IGBT是由N-ch型的MOSFE与PNP型双极面结型晶体管(BipolarJunctionTransistor,BJT)组合而成。

第二代的穿透型平坦式(PunchThroughPlanar)IGBT(图1)在内部N-chMOSFET导通时,电洞(Hole)从PNP型BJT的射极(Source)注入N-chMOSFET的泄极(Drain),使此部分电阻降低,此现象称为接面的传导度调变。高压MOSFET泄极的磊晶层(Epitaxial)主宰导通电阻的关键部分,无法大幅降低导通阻抗,而IGBT内的BJT是双极元件,可大幅降低导通电阻,也就是说其具有低的集射极导通电压(Vce(on))。但是凡事难以两全其美,当此IGBT要关闭时,n-Epitaxial中的少数载子(Carrier)消失需要一段时间,产生拖尾电流(TailCurrent),造成较大的截止能量损失Eoff(Turn-offEnergyLoss),为改善此缺点,必须将晶圆做一些处理,如在P基板及n-Epitaxial中间加入n-buffer层或打电子射线(E-beam)、中性子(Proton)射线等,以减轻电流拖尾问题。

责任编辑:solar_robot
特别声明:
索比光伏网所转载其他网站内容,出于传递更多信息而非盈利之目的,同时并不代表赞成其观点或证实其描述,内容仅供参考。版权归原作者所有,若有侵权,请联系我们删除。

光伏行业最新动态,请关注索比光伏网微信公众号:solarbe2005

投稿与新闻线索联系:010-68027865 刘小姐:news@solarbe.com

扫码关注

2022年中国户用光伏品牌大会
2022年中国户用光伏品牌大会

2022年9月27日

浙江宁波

2022第二届华中光伏论坛
2022第二届华中光伏论坛

2022年9月22日

武汉洪山宾馆

投稿与新闻线索联系:010-68027865 刘小姐 news@solarbe.com 商务合作联系:010-68000822 media@solarbe.com 紧急或投诉:13811582057, 13811958157
版权所有 © 2005-2021 索比太阳能光伏网  京ICP备10028102号-1 电信与信息服务业务许可证:京ICP证120154号
地址:北京市大兴区亦庄经济开发区经海三路天通泰科技金融谷 C座 16层 邮编:102600