砷化镓磊晶厂全新为了在HBT磊晶、pHEMT磊晶等传统砷化镓材料应用领域之外，再拓利基，开发出结合HBT、pHEMT特性的BiHEMT产品今年出货量逐月放大，目前占全新累计营收比重约10%；另一方面，用于高聚光型太阳能(HCPV)的磊晶产品也在年中开始出货，虽然今年占营收比重估不到5%，但随着未来美国太阳能大厂采用HCPV技术趋势成形，将成为全新长线成长动能来源。
全新在砷化镓产业当中是最上游的磊晶厂，在全球市占率当中仅次于英商IQE，而光是IQE、全新、美商Kopin等3家厂商就占去全球砷化镓磊晶约80%市场。全新产品原以用于生产PA(功率放大器)的HBT磊晶为最大宗，并小量生产pHEMT(主要用于生产高速switchIC)，不过随着砷化镓组件应用面越加广泛，全新也加速投入包括BiHEMT(异质接面双载子暨假晶高速电子移动晶体管)、太阳能磊晶等两大块新产品的开发，并已逐步取得成果。
原以HBT、pHEMT两种材料结构为主的砷化镓组件，由于必须制成2个独立的组件，在手机与平板计算机追求更加轻薄短小设计的此时，相对占去更多空间，而在过去HBT和pHEMT向来有因物理特性整合度不佳的问题，也拉高了砷化镓组件进一步缩微的难度。
不过全新领先同业推出的BiHEMT磊晶，则可将HBT、pHEMT等不同制程的砷化镓微波开关、功率放大器(PA)、偏压电路与逻辑电路搭载在单一IC上，而包括Skyworks、TriQuint等砷化镓射频组件大厂，都已加速在4G产品导入BiHEMT晶圆制程，让全新的BiHEMT出货更有加速放大的趋势。
以去年BiHEMT产品占全新营收仅约2%来看，到今年第一季已占约6%，今年6月后占单月营收则突破15%水平，出货成长能量相当鲜明，预估全年可占营收约10%到12%比重。
除了持续生产射频组件用的磊晶产品，全新也早在3年前就开始切入高聚光型太阳能(HCPV)磊晶产品的开发，近期透过与美国HCPV大厂进行项目合作，已开始有稳定营收；据了解，全新的太阳能磊晶产品是出货给台系砷化镓组件代工厂宏捷(8086)，6月开始出货，初期量虽不大，但到第四季起就会有较明显成长动能，到年底占全新单月营收比重可望达到约4%至5%，2012年随着项目正式出量贡献将更明显。
以砷化镓芯片搭配聚光透镜的HCPV系统，单位发电效率约30%至40%，优于硅晶太阳能的13%至21%，且长期产电成本也优于硅晶结构；根据美国HCPV厂Amonix(市占率约8成)的评估，HCPV是所有太阳能技术中，最有可能达到长期每度发电成本0.06至0.07美元目标的技术，单以美国市场来看，装设中的HCPV电厂就有逾300MW(百万瓦)，到2013年更将扩充到1GW(10亿瓦)，长线需求看好。
全新今年前8月营收为15.33亿元，较去年同期成长35.6%，而从产品结构来看，用于生产PA的HBT磊晶占约75%为最大宗，微波开关用磊晶pHEMT产品占约10%，BiHEMT占约10%至12%，太阳能产品则约为3%。
全新在砷化镓产业当中是最上游的磊晶厂，在全球市占率当中仅次于英商IQE，而光是IQE、全新、美商Kopin等3家厂商就占去全球砷化镓磊晶约80%市场。全新产品原以用于生产PA(功率放大器)的HBT磊晶为最大宗，并小量生产pHEMT(主要用于生产高速switchIC)，不过随着砷化镓组件应用面越加广泛，全新也加速投入包括BiHEMT(异质接面双载子暨假晶高速电子移动晶体管)、太阳能磊晶等两大块新产品的开发，并已逐步取得成果。
原以HBT、pHEMT两种材料结构为主的砷化镓组件，由于必须制成2个独立的组件，在手机与平板计算机追求更加轻薄短小设计的此时，相对占去更多空间，而在过去HBT和pHEMT向来有因物理特性整合度不佳的问题，也拉高了砷化镓组件进一步缩微的难度。
不过全新领先同业推出的BiHEMT磊晶，则可将HBT、pHEMT等不同制程的砷化镓微波开关、功率放大器(PA)、偏压电路与逻辑电路搭载在单一IC上，而包括Skyworks、TriQuint等砷化镓射频组件大厂，都已加速在4G产品导入BiHEMT晶圆制程，让全新的BiHEMT出货更有加速放大的趋势。
以去年BiHEMT产品占全新营收仅约2%来看，到今年第一季已占约6%，今年6月后占单月营收则突破15%水平，出货成长能量相当鲜明，预估全年可占营收约10%到12%比重。
除了持续生产射频组件用的磊晶产品，全新也早在3年前就开始切入高聚光型太阳能(HCPV)磊晶产品的开发，近期透过与美国HCPV大厂进行项目合作，已开始有稳定营收；据了解，全新的太阳能磊晶产品是出货给台系砷化镓组件代工厂宏捷(8086)，6月开始出货，初期量虽不大，但到第四季起就会有较明显成长动能，到年底占全新单月营收比重可望达到约4%至5%，2012年随着项目正式出量贡献将更明显。
以砷化镓芯片搭配聚光透镜的HCPV系统，单位发电效率约30%至40%，优于硅晶太阳能的13%至21%，且长期产电成本也优于硅晶结构；根据美国HCPV厂Amonix(市占率约8成)的评估，HCPV是所有太阳能技术中，最有可能达到长期每度发电成本0.06至0.07美元目标的技术，单以美国市场来看，装设中的HCPV电厂就有逾300MW(百万瓦)，到2013年更将扩充到1GW(10亿瓦)，长线需求看好。
全新今年前8月营收为15.33亿元，较去年同期成长35.6%，而从产品结构来看，用于生产PA的HBT磊晶占约75%为最大宗，微波开关用磊晶pHEMT产品占约10%，BiHEMT占约10%至12%，太阳能产品则约为3%。
索比光伏网 https://news.solarbe.com/201109/26/20434.html
