凤凰光伏准单晶硅片的基本参数是：在P型硅片中，尺寸为156×156mm，电阻为0.5—3Ω.cm，少子寿命≥2μs，厚度为200μm±20和180μm±20两种，TTV≤30μm,弯曲度≤15μm，大晶粒晶向<100>±5°。
技术方面，凤凰光伏在理论上得出，准单晶A区比普通多晶高0.1%—0.2%，准单晶B区比普通多晶高0.4—0.6%，准单晶C区效率比CZ单晶低0.2—0.4%；在准单晶正常投料的情况下，平均衰减为0.4%—0.6%。在凤凰光伏将试产单晶硅片送至相关的电池生产商，在大生产线投放后得到的数据基本相同，光衰减为0.5%。
准单晶硅锭中A、B、C区制成的电池片获得了不同的技术参数，具体如下：
A区：占硅锭比例为16%，转换效率 为16.61%；
B区：占硅锭比例为48%，转换效率 为17.02%；
C区：占硅锭比例为36%，转换效率 为17.32%；
其中，多晶电池片效率基准为16.5%，单晶电池片效率基准为17.6%。
接下来，凤凰光伏在准单晶技术研发的重点将放在以下几点：温度梯度改进方法；大尺寸超薄晶种的制备；精确熔化控制方法、位错密度控制方法、边角多晶控制方法、铸锭良率提升。GT Solar铸锭炉采用了四面加顶部的加热模式，对此凤凰光伏独自进行新型热场的研发以改良温度梯度；如果能制成铺满坩埚底部的大尺寸超薄晶种，就有望制成与CZ单晶一致的产品；通过调整生产工体，将位错密度降到最低，并且还要技能控制位错密度，也能控制边角多晶的比例；目前一般的铸锭良率约为40%—50%，好一些的可以到60%，凤凰光伏目标是把良率提升至单晶水平，这将通过引入GT Solar DSS650进行改造来实现。
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