日本的产业技术综合研究所太阳能发电研究中心在太阳能电池技术相关会议“第5届成果报告会”（2009年6月22日～23日）上宣布，采用80～100μm厚度的薄硅晶圆制造的单晶硅型太阳能电池的能量转换效率达到了15.9～17.3％。
该单元的电极采用网印以及名为“两面同时烧结工艺”制作而成。2cm见方、100μm厚的硅单元的发电能力方面，效率为17.3％，开放电压为0.617V，短路电流为35.5mA/cm2，FF为0.789。2cm见方、80μm厚的单元的效率为15.9％，开放电压为0.614V，短路电流为32.8mA/cm2，FF为0.792。
原来有观点认为，如果将硅晶圆的厚度减至目前这种程度，转换效率也会大幅下降，但该中心通过改进基于表面凹凸加工的光密封技术及工艺，确保了较高的转换效率。其中，100μm厚太阳能电池的转换效率与产综研用于比较的180μm厚太阳能电池的转换效率几乎相当。
此次产综研还介绍，100μm厚多晶硅型单元的转换效率达到了最初预测的数值，即约为15％。“由于多晶硅晶圆含有晶界等，因此与单晶硅相比，更难实现薄型化”（该中心结晶硅小组负责人坂田功）。
数十μm的硅晶圆一般情况下很容易破碎，不宜搬运。为了解决这一问题，产综研“在德国还开发出了30μm厚晶圆的处理装置，所以搬运不存在大问题”（该中心）。（记者：野泽 哲生）
索比光伏网 https://news.solarbe.com/200906/25/4945.html
