京瓷计划2011年以后把位于天津市的太阳能电池模块生产基地的年产能由现在的60MW提高到240MW。为了扩大生产能力，该公司将于2009年4月动工建设新厂房。
新厂房将于2010年春季竣工。京瓷将把制造设备由现有厂房迁至新厂房，并于2010年春季陆续开工生产。制造设备全面迁移后，将关闭原厂房。新厂房总建筑面积为2万8800m2，是现有工厂的3倍。
新厂房完成效果图
2月18日举行的奠基仪式
该公司计划2011年度将太阳能电池年产量增至650MW，此次增产便是这一计划中的一环（参阅本站报道）。除中国外，京瓷还在日本、墨西哥和捷克拥有太阳能电池模块生产基地。该公司将陆续强化这些基地。（记者：河合 基伸）
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华北电力大学研究人员通过一项名为"碱增强反溶剂水解"的创新策略，将钙钛矿量子点太阳能电池的认证效率提升至18.3%，创造了该类电池的最高世界纪录。这项发表于《自然通讯》的研究，不仅刷新了效率数字，更攻克了长期困扰量子点太阳能电池发展的表面配体交换不充分的核心技术难题。这项创新不仅刷新了效率纪录，更重要的是开辟了钙钛矿量子点表面调控的新路径。
这一抑制作用使得SAM分子能够在不使用极性添加剂的情况下更加紧密地组装在TCO基底上。光伏电池性能与长期稳定性倒置钙钛矿太阳能电池采用不同类型的自组装单分子层进行制备，以评估其对器件性能的影响。
为解决这一问题，本研究华中科技大学李鑫和杨君友等人开发了一种新型离子螯合剂1-己基咪唑作为tBP替代物。基于HD调控的CsFAMA和FA钙钛矿器件分别实现了23.21%和26.04%的光电转换效率，并在1cm活性面积器件中达到23.62%的效率。能级优化与界面增强：HD降低Spiro-OMeTAD的价带顶，优化与钙钛矿的能级对齐，同时提升HTL致密性和界面接触，减少非辐射复合，提高开路电压和填充因子。
钙钛矿太阳能电池中，埋底界面普遍存在缺陷富集问题，而功能分子钝化策略能够显著提升器件性能。中国人民大学慕成、福建农林大学林智超等人针对电子传输层/钙钛矿层界面修饰问题，系统研究了三种含不同吸电子基团的功能分子：三氟乙酸钠、三氟甲基亚磺酸钠和三氟甲基磺酸钠。文章亮点：1.揭示双重锚定钝化新机制：首次证实含双官能团的钝化分子在能量上具有显著倾向性——可与SnO2电子传输层表面形成稳定双锚定结构。
引言全钙钛矿叠层太阳能电池因其理论效率可突破肖克利-奎瑟极限而备受关注，但窄带隙锡-铅钙钛矿的晶格不稳定性和卤化物迁移问题严重制约其发展。这一突破为钙钛矿叠层电池的商业化铺平了道路。叠层电池：2T结构实现29.6%的冠军效率，700小时运行后保持93.1%初始效率（图4d）。应用前景叠层电池商业化：高效率与长寿命结合，满足光伏产业对稳定性的严苛要求。
顶级期刊《自然通讯》发表了他们的最新成果：基于工业纹理硅基底，团队成功研制出钙钛矿-硅串联太阳能电池，其光电转换效率高达33.15%。最终，这块面积1平方厘米的串联电池，在标准测试条件下，效率成功突破33.15%，效率数据经权威认证。经过严苛的1000小时连续测试，新电池仍保持了91.7%的初始效率。当全球光伏产业还在为突破30%效率门槛而振奋时，中国团队已将标杆提升至33.15%。
本研究重庆大学凌旭峰、苏州大学马万里和袁建宇等人采用功能化偶极分子在钙钛矿/电子传输层界面实现强化接触钝化。此外，-CF的疏水性和强化接触钝化还提升了器件的存储与运行稳定性。该研究揭示了界面偶极分子结构对增强接触钝化和调控载流子动力学的重要性。文章亮点偶极工程突破效率瓶颈：通过-CF功能化偶极分子构建垂直排列的强偶极层，将p-i-n型PSCs效率提升至25.83%，Voc达1.176V，FF达0.847。
近期，中国科学院上海光学精密机械研究所邵宇川、郑毅帆团队在AdvancedPhotonics发表了题为“Advancingperovskitephotovoltaicsforspace:criticalstabilitytestingguidelines”的研究指南，该指南首次系统梳理了钙钛矿光伏器件在太空环境中面临的核心失效机制，提出了一整套面向空间应用的稳定性测试与评估新框架。
有机太阳能电池因其柔性、轻质及可溶液加工等优势，在近年来取得快速发展。然而，CIL在决定电子提取与复合行为方面起着至关重要的作用。针对上述挑战，中国科学院大学/天津大学黄辉教授、蔡芸皓副教授课题组创新性地提出了有机/无机双组分协同策略，首次将二维非晶氧化锌与有机界面材料PNDIT-F3N复合，构建有机/无机复合界面。
2025年6月27日 - 西班牙生态转型与人口挑战部（MITECO）已批准“可再生能源价值链强化项目”（RENOVAL）的援助拨款决议，将向33个项目授予2.96亿欧元。这些项目旨在生产对西班牙可再生能源技术和产业发展至关重要的设备及零部件。
硅异质结太阳能电池对紫外线(UV)敏感。二次离子质谱(SIMS)分析表明，365nm 紫外线会解离 Si-H 键，导致氢原子从 a-Si:H/c-Si 界面迁移并形成亚稳态缺陷。东方日升全球光伏研究院联合东南大学，针对n型异质结电池和组件的紫外稳定性进行了深度机理性的研究，开发了低紫外损伤连续PECVD 工艺，通过优化i1钝化层氢含量达33%( a-Si0x:H)i2钝化层氢含量达25%(a-Si:H)，使载流子寿命提升至3.6ms，紫外诱导衰减(UVID)从1.59%降至 0.71%。
