一、 项目简介
在半导体材料多晶硅的生产中，必须先在氢还原炉中设置硅棒，然后制得产品多晶硅。这种硅棒的初始直径很细，一般为φ5－10mm，经氢还原，硅在硅棒上沉积，硅棒的最终直径越来越大，最粗可达φ200mm。
目前，在半导体材料多晶硅生产中，采用的氢还原炉的进气口的截面积是固定的，只能适用于物料流量变化较小的小产率的生产工艺。为了获得最佳的生产效率，必须采用恒沉积厚度的生产工艺，即当多晶硅沉积的直径变粗时，要求进入炉内的物料也相应加大。
本发明就针对设计了一种进、出气分离及进气口的截面积可变化的装置。该装置将出去气口与进气口分开，出气口布置在硅棒周围，进气口可以按实际需要，及时调整截面积大小，使得当进炉物料变化时，通过它喷出的物料流量线速度始终保持最佳，并满足逐渐增大的硅棒直径的需要，从而获得了最佳工艺状态而制得高质量和高产率的多晶硅。
二、 功能特点
1、能按工艺要求稳定地调节喷口的截面积，有效地控制物料流量的线速度，保证硅棒生长的均匀性，也保证了产品多晶硅的高成品率。
2、喷口截面积的调节通过伺服电机的转动，控制转动喷口的旋转角度，且伺服电机通过PID控制器，根据物料流量传感器给出的信号，经过运算放大器运算，与转动喷口的转动角度进行比较结果，来决定转速的。所以能及时稳定的调节喷口的截面积，自动化程度高。
同济大学科技处
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