单晶制备方法 Crystal growth method Crystal growth method:	CZ
导电类型 Crystal growth method	P
掺杂剂 Dopant	B
晶向 Orientation	＜100＞
晶向偏离度Off Orientation Off Orientation	＜±3°
电阻率范围(ρ) Resistivity	0.5 - 3Ωcm或3- 6 Ωcm
少数载流子寿命 Minority Carrier Lifetime Minority Carrier Lifetime	大于或等于 10μs
氧含量（O2） Oxygen Conten	≤1.0*10¹⁸/cm³
炭含量（C） Carbon Conten	≤5.0*10¹⁶/cm³
位错密度(Nd) Dislocation Density	≤3000 /cm²
厚度 Thickness	200（220）±20μm
规格 Dimension	125*125±1mm
对角线 Diagonal	150mm±1mm
总厚度变化 TTV	≤50μm
线痕 Trail	≤20μm

编辑：曹宇
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单晶硅太阳能光伏光伏市场

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