125单晶硅片制备标准

来源:solarbe.com发布时间:2007-06-10 07:16:48

单晶制备方法

Crystal growth method

Crystal growth method:

CZ

导电类型

Crystal growth method

 

P

掺杂剂

Dopant

B

晶向

Orientation

100

晶向偏离度Off Orientation

Off Orientation

<±3°

电阻率范围(ρ)

Resistivity

0.5 - 3Ωcm3- 6 Ωcm

少数载流子寿命

Minority Carrier Lifetime

Minority Carrier Lifetime

大于或等于 10μs

氧含量(O2

Oxygen Conten

1.0*1018 /cm3

炭含量(C

Carbon Conten

5.0*1016 /cm3

位错密度(Nd)

Dislocation Density

3000 /cm2

厚度

Thickness

200(220)±20μm

规格

Dimension

125*125±1mm

对角线

Diagonal

150mm±1mm

总厚度变化

TTV

50μm

线痕

Trail

20μm

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

编辑:曹宇
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