单晶制备方法 Crystal growth method Crystal growth method: |
CZ |
导电类型 Crystal growth method |
P |
掺杂剂 Dopant |
B |
晶向 Orientation |
<100> |
晶向偏离度Off Orientation Off Orientation |
<±3° |
电阻率范围(ρ) Resistivity |
0.5 - 3Ωcm或3- 6 Ωcm |
少数载流子寿命 Minority Carrier Lifetime Minority Carrier Lifetime |
大于或等于 10μs |
氧含量(O2) Oxygen Conten |
≤1.0*1018 /cm3 |
炭含量(C) Carbon Conten |
≤5.0*1016 /cm3 |
位错密度(Nd) Dislocation Density |
≤3000 /cm2 |
厚度 Thickness |
200(220)±20μm |
规格 Dimension |
125*125±1mm |
对角线 Diagonal |
150mm±1mm |
总厚度变化 TTV |
≤50μm |
线痕 Trail |
≤20μm |
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编辑:曹宇
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