能量损失拆解：a-Th2Br的E仅为0.194eV，总能量损失低至0.525eV，为目前报道的最低水平之一。结论展望本研究通过中心核扭曲构型受体设计，成功实现了20.60%的高效率与0.194eV的低非辐射损失，突破了有机太阳能电池中“高发光必低迁移”的传统困境。
二氧化锡薄膜常用作p-i-n钙钛矿太阳能电池中的缓冲层，用于保护底层材料在电极溅射过程中免受损伤。重要的是，将该SnO层集成到p-i-n太阳能电池中后，其真空沉积过程有效缓解了电极溅射引起的性能衰退，钙钛矿/C层结构保持完好。该研究确立了热蒸发SnO作为原子层沉积SnO的有力替代方案，适用于p-i-n钙钛矿太阳能电池中的缓冲层应用。
光诱导卤化物分离是限制宽带隙混合卤化物钙钛矿寿命的根本性障碍。该双相互作用机制能有效阻止卤化物在晶界处的迁移，从而抑制局部电场的形成，最终遏制光诱导相分离。因此，改性后的宽带隙钙钛矿在光照应力下表现出优异的光稳定性。本工作通过晶界工程开创了一条解决卤化物分离的简易途径，为制备高运行稳定性的宽带隙钙钛矿光伏器件铺平了道路。
镧系纳米晶在电致发光应用中具有独特优势，包括窄带发射、高色纯度和组分可调的输出。本研究黑龙江大学许辉、韩春苗，清华大学深圳国际研究生院韩三阳和新加坡国立大学刘小钢等人展示了从绝缘的氟化镧纳米晶中实现高效电致发光的方法，这些纳米晶表面修饰有一系列功能化的2-苯甲酸配体。该配体功能化的纳米晶平台为绝缘纳米晶系统中的激子调控提供了模块化策略，为光谱精确的电致发光材料开辟了新路径。
鉴于此，英国剑桥大学SamuelD.Stranks教授与RichardH.Friend教授首次实现了三维钙钛矿CsPbBr在二维钙钛矿PEAPbBr单晶上的气相逐层外延生长，实现了埃米级厚度控制和亚埃米级平滑层。这一突破为基于钙钛矿的超晶格光电器件提供了可扩展的平台。相关研究成果以题为“Layer-by-layerepitaxialgrowthofperovskiteheterostructureswithtunablebandoffsets”发表在最新一期《science》上。这些观测结果证实了逐层生长机制。Kiessig条纹拟合显示CsPbBr3厚度为47纳米，粗糙度0.26纳米，与原子力显微镜形貌分析结果一致。
通过进一步分析，科学家发现水平排列的PMEAI抑制了Pb和I空位的缺陷，并诱导钙钛矿/C60界面内建电场的反转，从而最大限度地减少界面复合损失。他们解释说，界面电场被PMEAI反转，从C60指向钙钛矿，显著加速电子提取并抑制复合，从而突破了钝化层对电流密度和填充因子的传统限制。电池在65摄氏度下1500小时后，仍保持97%的初始效率。
本文香港城市大学王锋等人开发了一种利用铅缺陷前驱体调控反应动力学的合成策略。该方法成功合成了厚度可调至两个八面体层的均匀CsPbI纳米片，其在563nm处表现出窄带发射，并具有较高的光谱稳定性。通用性强，实现全彩发射调控：该策略可拓展至CsPbBr与CsPbCl体系，合成不同层数的纳米片与纳米晶，覆盖紫光至红光波段，为单一卤化物钙钛矿实现全彩发射提供可行路径。
长期以来，科研界依赖成核理论解释钙钛矿晶粒生长，认为添加剂会增加吉布斯自由能延缓成核，进而形成大晶粒。但实际应用中前驱体墨水与钙钛矿形成的关联模糊，成核理论预测性差，导致工艺优化多依赖经验试错，严重制约了钙钛矿技术的规模化发展。
窄带隙子电池中空穴传输层与钙钛矿界面处的非辐射复合损失限制了全钙钛矿叠层太阳能电池的光电转换效率。此外，该策略有效缓解了叠层器件互联层引起的接触损失，最终实现全钙钛矿叠层电池的30.6%效率。全钙钛矿叠层电池认证效率突破30%大关，具备产业化前景：叠层电池认证稳态效率达30.1%与29.6%，具备良好的重复性与操作稳定性，是当前全钙钛矿叠层电池的最高效率之一。
