测试测量
效率测试及功率标定标准亟待建立。目前针对钙钛矿电池及组件的效率测试方法，主要集中在提升效率测量准确度的方法研究上。而对于实际量产生产过程中，如何快速、准确地标定钙钛矿组件功率，在科学研究和标准制定方面
布局与长远规划。破局：顺势挺进制造业“金字塔”在半导体芯片制造的复杂流程中，精密温度控制技术是确保芯片良率与性能的关键因素。从光刻、刻蚀、薄膜沉积等前道工艺，到固晶、塑封、测试等后道环节，几乎每个环节
温度控制技术对半导体行业制造的重要性不言而喻，但过去很长一段时间，用于半导体前道设备的高端温控器对于测量精度和控制算法都有严格要求，这一领域长期被美国WATLOW为首的进口品牌所垄断。国产化严重不足
循环伏安法(SECCM-TLCV)，首次实现了对SAMs界面特性的精准测量：稳定性测试：25次C-V循环后，RS-2活性位点保留71%(MeO-2PACz仅21%)添加PbI₂模拟工作环境：RS-2保留
稳定性)。▶ 对比传统分子：封闭壳层MeO-2PACz的ESR信号弱3个数量级。二、突破性表征技术：精准测量界面性质传统电化学方法难以评估实际器件中SAMs的性能。团队采用扫描电化学电池显微镜-薄层
₃/spiro-OmetaD/Au)：外部量子效率(EQE)计算的光电流与 J-V 测试偏差≤1.5%，验证性能可靠性。大面积电池性能1.0 cm² 电池 PCE 达 22.7%(Jsc=24.8 mA cm
ns)。5. 稳定性测试未封装电池85% RH、25°C 下存储 2000 h，PCE 保留 96%(对照仅保留～40%)。封装电池85% RH、85°C 下存储 1000 h，PCE 保留 71
，提高了与钙钛矿表面的相互作用。多维度精密表征电子自旋共振(ESR)：验证了RS-1与RS-2为热稳定双自由基分子;SECCM-TLCV电化学微探针扫描技术：精确测量了SAM层的电荷传输速率和氧化稳定性
;RS-1和RS-2表现出更低的衰减和更高的分子组装密度;表面结合分析：XPS、接触角等测试表明RS系列分子主要通过共价锚定而非物理堆叠，提升了结构均一性;器件级分析：导电AFM、电荷传输/复合动力学
太阳能电池和钙钛矿太阳能电池的器件性能在补充图12中示出，13.
c稳定-说明冠军目标器件的PCE和电流密度。d目标器件的EQE图。e国家测量和测试研究所的独立性能认证技术.
f柔性PST在N2环境中
)的样品的结构为c-Si/ITO/NiOx/2PACz/Perov./C60. h的钙钛矿薄膜的能带排列示意图。图3.
在机械耐久性测试之前/之后织构化衬底上的钙钛矿膜的膜形态。a-d分别
¹⁷ cm⁻³ 降至 9.02×10¹⁷
cm⁻³(SCLC 测试)。界面相互作用验证DFT 计算DLEO 与 SnO₂缺陷表面的吸附能达 - 2.98 eV，羧基和氨基是主要结合位点;XPS
薄膜(ARTF)的器件的 J-V 曲线。e)
效率的统计分布，f) 稳定性跟踪测试(25±5°C;相对湿度 25±5%)，以及 g) 相应器件在 1 个太阳条件(100 mW・cm⁻²，AM 1.5
统计分布。(c)具有不同光源角度的GIWAXS/GISAXS测试的示意图，其中0.081的角度被测试为膜的浅信号，0.161的角度被测试为膜的中间信号，并且0.21的角度被测试为膜的深信号。(f)D18
使原子或分子电离。国际非电离辐射防护委员会(ICNIRP)明确指出，50/60Hz工频电磁场(光伏逆变器主要频段)的公众暴露限值为5kV/m(电场)和100μT(磁场)，而实际测量显示：屋顶光伏
。光伏系统特有的热效应风险也极低。以单晶硅光伏板为例，其工作温度通常维持在25-75℃之间。即使在最炎热的夏季，光伏板表面温度也难以超过85℃(标准测试条件下的STC温度为25℃)。根据热损伤阈值研究，人体
的各种终端上的PEA+和TAR
3的脱附能的比较e，钙钛矿与PEA+和TAR 3吸附的缺陷形成能的比较f，对照、PEA+和TAR
3钙钛矿膜的随温度变化的电导率测量。线表示线性拟合的结果跟踪电导率
的VOC，其中线表示线性拟合的结果。f，对照和芳族铵阳离子处理的WBG器件的TPV。g，在~30
℃下在N2中在白光照射(1-太阳)下在开路条件下测量的未包封的WBG器件的PCE演变。对照
