a-Si

调查不包括使用非晶硅（a-Si）、碲化镉（CdTe）或铜铟镓硒（CIGS）技术生产的薄膜太阳能光伏产品。同时不包括面积小于10000平方毫米，应用在非发电类用途的消费类产品上的晶体硅太阳能光伏电池（该

使用非晶硅（a-Si）、碲化镉（CdTe）或铜铟镓硒（CIGS）技术生产的薄膜太阳能产品。同时不包括面积小于10000平方毫米，应用在非发电类用途的消费类产品上的晶体硅太阳电池（该消费类产品使用

SiNx、SiOx、SiON、a-Si等。Aurora PECVD以其高性能、低损耗和低成本为行业带来了相当大的竞争优势。 对于公司参与此次参展，OLT Solar的首席执行官Wendell

统可单独或连续沉淀多种薄膜，包括SiNx、SiOx、SiON、a-Si等。Aurora PECVD以其高性能、低损耗和低成本为行业带来了相当大的竞争优势。对于公司参与此次参展，OLT Solar的

非晶硅层a-Si:H，能吸收短波长光子，与非晶硅层连接的第二结称为底层微晶硅层ucSi:H，能吸收长波长光子。阳光首先透过顶层玻璃和透明导电薄膜到达顶层非晶硅层，阳光中的短波长光子被顶层非晶硅层吸收，而

的进步。薄膜太阳电池主要涉及非晶硅(a-Si：H)、铜铟镓硒(Cu(In、Ga)Se2，CIGS)和碲化镉(CdTe)光伏电池和集成组件，在本文中主要讨论的是目前商业化最成熟的非晶硅太阳电池。薄膜
能源的巨大潜力。Sharp公司、TDK公司在聚酯膜上制备的非晶硅太阳电池目前已能生产面积为286cm2的组件，效率已达8.1%，小面积电池的效率已达11.1%。Fuji公司a-Si/a-SiGe

索比光伏网讯:本文主要讲述HIT太阳能光伏电池的制造工艺、工艺改进以及HIT太阳能光伏电池的市场展望：一、HIT太阳能光伏电池的制作工艺HIT太阳能光伏电池的关键技术是a-Si:H薄膜的沉积，要求
沉积的本征a-Si:H薄膜的缺陷态密度低，掺杂a-Si:H的掺杂效率高且光吸收系数低，最重要的是最终形成的a-Si:H/Si界面的态密度要低。目前，普遍采用的等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）沉积

HIT太阳能光伏电池里p/n异质结中所发现的正向电流特性（0.4V附近）的变化是由于a-Si顶层膜中存在的高密度间隙态，引起异质结部耗尽层的再复合而造成的。对此，在顶层和结晶Si之间插入高质量
a-Si膜（i型a-Si膜），通过顶层内的电场来抑制复合电流，这就是HIT构造。通过导入约5nm左右的薄膜i型a-Si层，可看到反向的饱和电流密度降低了约2个数量级。亦即通过导入i型a-Si层，能够

索比光伏网讯:HIT太阳能光伏电池的伏安曲线分析HIT太阳能光伏电池里p/n异质结中所发现的正向电流特性(0.4V附近)的变化是由于a-Si顶层膜中存在的高密度间隙态，引起异质结部耗尽层的再复合而
造成的。对此，在顶层和结晶Si之间插入高质量a-Si膜(i型a-Si膜)，通过顶层内的电场来抑制复合电流，这就是HIT构造。通过导入约5nm左右的薄膜i型a-Si层，可看到反向的饱和电流密度降低了约2