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太阳能光伏技术概述来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2013-02-21 10:36:59

并不多,南开大学的耿新华等采用工业用材料,以铝背电极制备出面积为2020cm2、转换效率为8.28%的a-Si/a-Si叠层太阳能电池。 非晶硅太阳能电池由于具有较高的转换效率和较低的成本及重量轻等特点

印度对中美等国的太阳能电池开展反倾销调查来源: 发布时间:2013-01-29 09:20:59

PCN分别为C1和C2;单晶和多晶电池组件的PCN分别为M1和M2;非晶硅薄膜太阳电池组件(A-Si),碲化镉薄膜太阳能电池组件(CDTE),铜铟镓硒/硫化物薄膜太阳能电池组件(CIGS)PCN分别为TF-1、TF-2和TF-3。

印度对华太阳能电池反倾销 要求提交调查问卷来源:商务部 发布时间:2013-01-24 11:15:52

单晶和多晶太阳能电池的PCN分别为C1和C2;单晶和多晶电池组件的PCN分别为M1和M2;非晶硅薄膜太阳电池组件(A-Si),碲化镉薄膜太阳能电池组件(CDTE),铜铟镓硒/硫化物薄膜太阳能电池组件(CIGS)PCN分别为TF-1、TF-2和TF-3。

印度对华等国太阳能电池开展反倾销调查来源: 发布时间:2013-01-24 09:03:59

太阳能电池的PCN分别为C1和C2;单晶和多晶电池组件的PCN分别为M1和M2;非晶硅薄膜太阳电池组件(A-Si),碲化镉薄膜太阳能电池组件(CDTE),铜铟镓硒/硫化物薄膜太阳能电池组件(CIGS)PCN分别为TF-1、TF-2和TF-3。附调查问卷表及涉案的中国制造商和出口商名单。

采用抗反射膜提高a-Si:H/μc-Si:H串结薄膜太阳能电池的转换效率来源:SEMI 发布时间:2012-12-16 23:59:59

划伤性能很好。功能膜的优秀抗反射性能及低温制造工艺使其有用于提高PV组件转换效率的巨大潜力。实验用SnO2:F涂覆的前玻璃衬底(尺寸为140mmx140mmx3.2mm)用作样品制备。薄膜a-Si:H
/c-Si:H串结太阳能电池用等离子增强化学气相淀积(PECVD)制造,采用的激励频率为13.56MHz。串结是在p-i-n/p-i-n顶衬结构制造的,其中第一个i层由a-Si:H组成,第二个i层由

晶硅太阳能电池与微电子之间的技术交流来源:SEMI 发布时间:2012-12-16 23:59:59

允许我们通过用Marangoni干燥机进行合适的清洗与干燥,提高用于表面钝化的ALD生长的Al2O3层的同质性。在a-Si:H异质结情况下减少界面污染也是获得高开路电压的关键。结论对于晶硅太阳能电池

前瞻晶体硅太阳能电池未来产业化——高效N型背结前接触和背结背接触晶体硅太阳能电池来源:中国科学院微电子研究所太阳能电池研究中心 发布时间:2012-11-05 17:35:02

形成p型发射结的优化和发射极的表面钝化优化。文章重点研究了在丝网印刷Al高温烧结后形成的发射极表面采用Al2O3和氢化非晶硅(a-Si:H)钝化薄膜的特性。该文章认为烧结峰值温度的持续时间极大影响了p型

美国终裁对华光伏产品征收重税来源:Shine Magazine/光能杂志 发布时间:2012-11-05 17:22:02

非晶硅(a-Si)、碲化镉(CdTe)或铜铟镓硒(CIGS)技术生产的薄膜太阳能产品。同时不包括面积小于10000平方毫米,应用在非发电类用途的消费类产品上的晶体硅太阳电池(该消费类产品使用太阳能电池

光伏设备制造商的生存关键来源: 发布时间:2012-10-31 13:14:04

非晶硅(a-Si),因为托尔认为,面对高效率和高寿命的其他薄膜技术,它的市场份额将会减少。地理优势德国仍然是主要的光伏生产设备市场,排名前十的一半供应商总部设在那里。Lux Research报告,以中国

光伏设备制造商的生存关键(图)来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2012-10-31 10:12:59

氧化物(AL2O3)。与此同时,SE电池设计靠油墨印刷或离子注入转动。这份报告没有涉及非晶硅(a-Si),因为托尔认为,面对高效率和高寿命的其他薄膜技术,它的市场份额将会减少。地理优势德国仍然是主要的