a-Si

索比光伏网讯:HIT是HeterojunctionwithIntrinsicThin-layer的缩写,意为本征薄膜异（膜厚5～10nm）质结.HIT太阳能电池是以光照射侧的p/i型a-Si膜和背面
侧的i/n型a-Si膜（膜厚5～10nm）夹住单结晶Si片的来构成的.图一.HIT太阳能光伏" title="光伏新闻专题"光伏电池结构HIT太阳能光伏电池基板以硅基板为主；在硅基板上沉积高能隙

索比光伏网讯:光致衰减也称S-W效应。a-Si∶H薄膜经较长时间的强光照射或电流通过，在其内部将产生缺陷而使薄膜的性能下降，称为Staebler-Wronski效应（D.L.Staebler和
缺陷态(深能级)，这种缺陷态会影响a-Si∶H薄膜材料的费米能级Ef的位置，从而使电子的分布情况发生变化，进而一方面引起光学性能的变化，另一方面对电子的复合过程产生影响。这些缺陷态成为电子和空穴的额外

具有根本上的局限性，因为它们只能利用超过一定能量的光子。利用低于阈值的光子，重新辐射这种能量，形成较短的波长，这样就可以提高这些设备的效率。我们报告的是，可以提高捕光效率的氢化非晶硅（a-Si:H

较短的波长，这样就可以提高这些设备的效率。我们报告的是，可以提高捕光效率的氢化非晶硅（a-Si:H：hydrogenatedamorphoussilicon）薄膜太阳能电池，这是因为可以采用背部变频器

优势主要包括：a-Si:H电池、a-Si:H/a-Si:H双结电池、a-Si:H/c-Si双结电池、a-Si:H/a-SiGe:H双结或三结电池等。1.制作在廉价衬底上，硅原料丰富，采用薄膜类型更节约

　　薄膜光伏电池是选择非结晶硅(a-Si)、二硒化铜、铟、镓(CIGS)或碲化镉(CdTe)等半导体材料作为光能的吸收剂和转换器，将半导体材料放在玻璃、塑胶等廉价衬底材料上制成太阳能电池。因此
。 　　非晶硅电池占主导CIGS前景诱人 　　非晶硅薄膜电池(a-Si)、铜铟镓硒电池(CIGS)、碲化镉(CdTe)是三种主流的薄膜光伏电池。其中，非晶硅薄膜光伏电池以较低的成本、简单的

薄膜太阳能电池第二波高速发展薄膜太阳能电池是选择非结晶硅（a-Si）、二硒化铜、铟、镓（CIGS）或碲化镉（CdTe）等半导体材料作为光能的吸收剂和转换器，将半导体材料放在玻璃、塑胶
。非晶硅电池占主导 CIGS前景诱人非晶硅薄膜电池（a-Si）、铜铟镓硒电池（CIGS）、碲化镉（CdTe）是三种主流的薄膜太阳能电池。其中，非晶硅薄膜电池以较低的成本、简单的生产工艺以及灵活的应用

，这些面板企业通过研究更大型基板生产线，强化生产效益来与LTPS竞争。所以市场上大多数的液晶显示器还是采用传统的液晶，即主流非晶矽(Amorphous-Silicon，a-Si)，传统液晶(a-Si)技术

。传统的太阳能电池原材料是高纯度硅(Si)。按照用途分类，它有两种形式：晶体硅(c-Si)和非晶硅(a-Si)。因此，在太阳能电池生产过程中，就有晶体技术和薄膜技术之分。在晶体加工工艺中，太阳能电池的

。传统的太阳能电池原材料是高纯度硅（Si）。 按照用途分类，它有两种形式：晶体硅（c-Si）和非晶硅（a-Si）。 因此，在太阳能电池生产过程中，就有晶体技术和薄膜技术之分。 在晶体加工工艺中