a-Si

，a-Si薄膜的沉积是工艺的核心，在沉积过程中，薄膜沉积速率与沉积气压成反比，所以并不需要特别高的工艺温度，整个制造过程可以在200摄氏度以下实现。HIT技术将与传统的晶硅技术在接下来开展竞争，其优势

，这种组件能量回收期短，跟传统组件相比也更加环保，公司期望借助去年在中国大陆建立的第一条高效串联结薄膜生产线到2011年产能达到300兆瓦。Astronergy’s a-Si/μc-Si
in Europe and in the US,” Astronergy CEO Dr. Liyou Yang explained, “A-Si/μc-Si tandem-junction

that an altogether superior a-Si/germanium alloy has been employed, which captures red light more effectively.

had previously been ramped from 300MW in February, to 360MW in April. In regards to GET’s a-Si

，从高峰每瓦约4.5美元，跌至目前已剩约2美元，迫使发展相对不成熟、产能建置时设备成本相对较高的薄膜太阳能包括非晶硅薄膜(A-Si)及Tandem，因获利不易使得烧钱情况持续，有些不愿再砸钱的厂商纷

起价格快速下滑，从高峰每瓦约4.5美元，跌至目前已剩约2美元，迫使发展相对不成熟、产能建置时设备成本相对较高的薄膜太阳能包括非晶矽薄膜(A-Si)及Tandem，因获利不易使得烧钱情况持续，有些不愿再砸

薄膜太阳能电池技术的部份，目前技术相当多，包含了非晶硅(a-Si)技术，碲化镉(CdTe)和铜铟镓硒(CIGS)等等，不过其开发的主要的目的都是通过消除使用晶体硅的吸收层以降低成本，薄膜技术的缺点是能源转换
效率较低。 由于设备厂商大量的提供一体到位(TurnKey)的设备，非晶硅(a-Si)厂商大幅扩产的结果已经将全球的产能由 2007年的296 MW (百万瓦)提高2009年的1.6 GW (十亿瓦

，包含了非晶硅(a-Si)技术，碲化镉(CdTe)和铜铟镓硒(CIGS)等等，不过其开发的主要的目的都是通过消除使用晶体硅的吸收层以降低成本，薄膜技术的缺点是能源转换效率较低。由于设备厂商大量的提供一体
到位(TurnKey)的设备，非晶硅(a-Si)厂商大幅扩产的结果已经将全球的产能由 2007年的296 MW (百万瓦)提高2009年的1.6 GW (十亿瓦) , 甚至预计2010年将达到3.0

，但由 Silicon Genesis 所开发的新的Polymax技术可以切割到只有20微米的单晶硅薄片。 在薄膜太阳能电池技术的部份，目前技术相当多，包含了非晶硅(a-Si)技术，碲化镉(CdTe
(a-Si)厂商大幅扩产的结果已经将全球的产能由 2007年的296 MW (百万瓦)提高2009年的1.6 GW (十亿瓦) , 甚至预计2010年将达到3.0 GW (十亿瓦)。然而，由于多晶硅价格较

2015年市场将增至150亿美元。 　　《2010年光伏电池及组件的化工用料及辅料》的报告，提供了对单块电池和组件的详细用料分析，涉及晶体硅（c-Si）、无定形硅（a-Si）、串联结、碲化镉