SiC

最近，碳化硅 (SiC) 的使用为 BJT 赋予了新的生命，生产出一款可实现更高功率密度、更低系统成本且设计更简易的器件。SiC BJT 运用

，多领域发展是必须的，不仅可以降低风险，也可以增加企业的盈利。所以GTAT开拓了硅材料、蓝宝石以及SiC等领域。SiC是用于功率电子器件的一种重要材料，优势明显，应用非常广泛。GTAT的目标是向客户
提供生长高品质、低成本SiC的炉子，而不是直接生产SiC材料本身。 GTAT新推出的Merlin技术主要针对产业链的下游，直接影响电池片工艺以及转换效率。Merlin技术的创新特性，预计将可以大幅

罗姆在PCIM Europe 2014并设的会议上，发表演讲介绍了耐压为1200V的沟道型SiC MOSFET的情况，除了这种MOSFET的特点以外，还公布了实用化时间，计划从2014年秋季开始陆续
样品供货。该公司此前已经投产了平面型SiC MOSFET，此次是首次投产沟道型SiC MOSFET。即使在功率元件行业，估计这也是首次实现沟道型SiC MOSFET的实用化。沟道型SiC MOSFET

松下根据光伏发电协会（JPEA）的显示相关行业自主规则（平成24年度）计算出来的。模块的设置条件为，在大阪市朝正南以30度的倾斜角设置，功率调节器的损失为5％。 配备SiC二极管 功率
时，输出功率约为1kW时的电力转换效率也高达96％左右，因此在阴天和下雨等低日照时也能以高效率进行转换，有助于增加年发电量。 另外，继2013年10月上市的最大输出功率5.9kW的室外用功率调节器之后，此次的产品也采用SiC二极管。

85％以上。晶体硅片作为太阳能光伏产业的前端产品，在整个光伏产业链占据重要地位。多线切割分为砂浆线切割和金刚石线切割两种，前者是目前硅片生产的主要方式，其利用碳化硅（SiC）和切削液（PEG）搅拌混合
切割质量。3.2 碳化硅（SiC）砂浆线切割中，分散的碳化硅颗粒自由滑动、滚动和冲击来进行微量切削，如图6。碳化硅形状可以近似圆锥、球，若其分布按等高、正态分布或均匀分布时，可推算出切削加工的单位体积

in SiC Grinding.International Journal of Machine Tools and Manufacture,2008,48(6):398-710. 徐徐光,周国安.多线切割晶体

条件下，靠近科皮亚波市，San Andres项目并网到中央互联系统(SIC)，并没有购电协议(PPA)。价格由现货市场决定，经常被智利的矿业设施使用，以满足额外需求。由于阿塔卡马地区高太阳能辐照，以及

皮亚波市，San Andres项目并网到中央互联系统(SIC)，并没有购电协议(PPA)。价格由现货市场决定，经常被智利的矿业设施使用，以满足额外需求。由于阿塔卡马地区高太阳能辐照，以及现货市场的定价

索比光伏网讯:光伏发电领域和铁路领域将进一步推进SiC及GaN等新一代功率半导体的采用。在2014年2月举行的智能电网展会第5届国际智能电网EXPO上，相关企业纷纷展示了预定2014～2015年前
后实现产品化的开发品。这些产品通过采用损耗比硅低的SiC和GaN功率半导体元件，均实现了高效率和小型化。确保JET认证的水平欧姆龙开发出了二极管和晶体管都采用SiC、输出功率为5.9kW的全SiC功率

San Andres均并入中央电网（SIC）。此外，SunEdison已就Amanecer项目与矿业公司CAP签署购电协议，而San Andres电站将向智利首都圣地亚哥供应