SiC
大型功率半导体厂商意法半导体公司3月宣布，将销售采用新一代半导体元件SiC（碳化硅）的功率MOSFET（金属氧化物半导体型场效应晶体管）SCT30N120。新产品的工作温度为200摄氏度，达到业界
最高水平，耐压实现了1200伏。计划用于光伏发电用功率调节器（PSC)等。
功率半导体元件采用SIC的优点是，与以往的硅功率半导体元件相比，可降低能量损失。意法半导体称，最少可降低50
索比光伏网讯:大型功率半导体厂商意法半导体公司3月宣布，将销售采用新一代半导体元件SiC（碳化硅）的功率MOSFET（金属氧化物半导体型场效应晶体管）SCT30N120。新产品的工作温度为200
℃，达到业界最高水平，耐压实现了1200伏。计划用于光伏发电用功率调节器（PCS）等。实现200℃工作温度、1200伏耐压的SiC功率MOSFETSCT30N120的封装照片（出处：意法半导体）功率半导体
至两百五十个建筑岗位，另聘请五十名员工运营该太阳能电站。预计该电站将于四月四日投入运营。建设包括变电站和输电线，将能源注入智利最大电网中央互联系统(SIC)电网。
年，将创造一百五十至两百五十个建筑岗位，另聘请五十名员工运营该太阳能电站。 预计该电站将于四月四日投入运营。 建设包括变电站和输电线，将能源注入智利最大电网中央互联系统(SIC)电网
两百五十个建筑岗位，另聘请五十名员工运营该太阳能电站。预计该电站将于四月四日投入运营。建设包括变电站和输电线，将能源注入智利最大电网中央互联系统(SIC)电网。三天前同样位于阿塔卡马地区的50MW太阳能
/crystal-growing-systems/pva/sic-(htcvd-htcvt)/typ-basic-tPVA TePla 进军电力电子产业除了baSiC-T 以外，PVA TePla 的其它
此法。现代硅烷的制备采用歧化法，即以冶金级硅与SiC14为原料合成硅烷，首先用SiCl4、Si和H2反应生成SiHCl3 ，然后SiHCl3 歧化反应生成SiH2Cl2，最后由SiH2Cl2 进行催化
歧化反应生成SiH4 ，即：3SiCl4+ Si+ 2H2= 4SiHCl3，2SiHC13= SiH2Cl2+ SiC14，3SiH2C12=SiH4+ 2SiHC13。由于上述每一步的转换效率都比
、工程设计和关键生产设备的开发。此外还为主要太阳能公司和新入企业提供交钥匙生产线和关键设备。2012年，centrotherm太阳能创新研发中心（SIC）在康斯坦茨成立。2011年，建立
、功率密度和Best-in-Class产品以及SiC技术和应用实例三个部分进行。作为全球最大的功率半导体公司，Infineon的IGBT 芯片具有饱和压降低和开关损耗小的特点，并且模块封装非常丰富，包含了很多拓扑，方便了客户使用，目前Infineon IGBT已广泛应用于国内外的各种光伏逆变器中。
。 Salvador项目最初将按照商业模式运行，即所发电量在现货市场上进行销售，并传输至智利SIC电网，从而可在今后获得PPA协议。这座太阳能光伏发电站将建于占地133公顷(329英亩)的政府用地上。 该项目一旦投入运行，预计年发电量可达到200GWh左右，足以向大约80,000户家庭供应电力。
