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Bonfiglioli逆变器部署在100MW阿塔卡马沙漠项目来源:PV-Tech 发布时间:2014-06-23 13:09:23

1.5Mwac的单位,并且包含Master-Slave逻辑,通过优化任何辐照水平的转换效率,帮助提高产量。SunEdison最近开启该位于阿塔卡马沙漠的100MWAmanacer项目,其连接到智利的中央互联系统(SIC)。 原标题:Bonfiglioli逆变器部署在100MW阿塔卡马沙漠项目

Bonfiglioli光伏逆变器部署在100MW阿塔卡马沙漠项目来源:pv-tech 发布时间:2014-06-22 23:59:59

1.5Mwac的单位,并且包含Master-Slave逻辑,通过优化任何辐照水平的转换效率,帮助提高产量。SunEdison最近开启该位于阿塔卡马沙漠的100MW Amanacer项目,其连接到智利的中央互联系统(SIC)。

中国南车:大功率IGBT半导体国产化“三部曲”来源:电力电子产业 发布时间:2014-06-12 23:59:59

,开展了以SiC为基础材料的新型电力电子器件技术与产业化的全面研究。目前,中心已成功研制出SiC肖特基二极管样品,并组合封装成混合型IGBT模块。并还将与国内其他单位及相关科研院所一道,展开SiC电力电子

SunEdison开建100MW智利太阳能电站来源:PV-Tech 发布时间:2014-06-10 13:47:15

互联系统(SIC),并且作为与智利最大的钢铁矿业公司CAPGroup协议的一部分建设。预计年发电量将达270GWh,产生政府2014年可再生能源目标的10%,相当于CAPGroup能源需求的15%。对于

SunEdison开启100MW智利太阳能电站来源:PV-Tech 发布时间:2014-06-10 09:29:57

连接到智利中央互联系统(SIC),并且作为与智利最大的钢铁矿业公司CAP Group协议的一部分建设。 预计年发电量将达270GWh,产生政府2014年可再生能源目标的10%,相当于CAP

拉丁美洲规模最大太阳能光伏专案Amanecer Solar CAP在智利建成来源:energytrend 发布时间:2014-06-09 15:14:18

Solar CAP电站生产的电力并入智利中央互联系统(SIC),降低了电网电力的净成本。 CAP集团总裁Roberto de Andraca B.表示,Amanecer Solar CAP电站生产的

智利建成拉丁美洲规模最大太阳能光伏项目来源:Solarzoom 发布时间:2014-06-09 12:47:40

个智利家庭用户的能源需求。目前,Amanecer Solar CAP电站生产的电力并入智利中央互联系统(SIC),降低了电网电力的净成本。 该项目由美国光伏能源供应商SunEdison开发、建造
满足整个集团15%的能源需求。 据SunEdison预计,投产首年,该电站并入SIC的能源规模达到270GWh(同量能源需要超7100升的燃油)。 Amanecer Solar CAP项目

智利建成拉丁美洲规模最大的太阳能项目来源:Solarzoom光伏太阳能网 发布时间:2014-06-08 23:59:59

家庭用户的能源需求。目前,Amanecer Solar CAP电站生产的电力并入智利中央互联系统(SIC),降低了电网电力的净成本。该项目由美国光伏能源供应商SunEdison开发、建造。此外
能源需求。据SunEdison预计,投产首年,该电站并入SIC的能源规模达到270GWh(同量能源需要超7100升的燃油)。Amanecer Solar CAP项目不仅改变了智利与拉丁美洲的可再生能源

富士电机推进SiC MOSFET实用化,首先用于光伏逆变器来源:日经BP社 发布时间:2014-06-02 23:59:59

索比光伏网讯:富士电机开始推进SiC MOSFET的实用化。最初打算用于该公司2014年8月开始量产的大型光伏电站用逆变器,该逆变器的输入电压为DC1000V、输出功率为1000kW。该公司已经推出
SiC二极管产品,在逆变器的升压电路中采用了配备该SiC二极管和该公司的SiC MOSFET的功率模块,由此提高了转换效率并实现了小型化。新款逆变器的转换效率为98.8%,属于行业最高水准(富士电机

在光伏逆变器中运用SiC BJT实现更低的系统成本【图表】来源:中国电力电子产业网 发布时间:2014-05-29 23:59:59

最近,碳化硅 (SiC) 的使用为 BJT 赋予了新的生命,生产出一款可实现更高功率密度、更低系统成本且设计更简易的器件。SiC BJT 运用在ink"光伏电源转换器中时,可实现良好效率,并且(也许
今天,基于碳化硅的新技术为 BJT 赋予了新的意义,特别是在高压应用中。碳化硅布局以同等或更低的损耗实现更高的开关频率,并且在相同形状因数的情况下可产生更高的输出功率。 运用了 SiC BJT 的设计