SiC材料

　　碳材料在功率半导体、太阳能电池等能源器件用途也能够发挥威力。 　　金刚石和碳薄膜的利用 　　功率半导体适合使用金刚石（图A-1）。因为击穿电场和载子迁移率远大于SiC和GaN，所以

　　新日本制铁（新日铁）着手开展作为新一代功率半导体底板材料的SiC（碳化硅）晶圆业务。将从2009年4月1日起通过子公司新日铁材料开始销售直径2～4英寸（50～100mm）的SiC晶圆。此前新日铁

特殊化学事业部研发出的CF系列硅片切削液，即具有优秀的刃料悬浮特性，能够有效悬浮 SiC 颗粒，提高切割效率；具有出色的润滑性能，可在硅片表面形成保护膜，有效降低表面缺陷；具有杰出的冷却效果，防治由于
www.dow.com.cn以及www.dow.com。关于陶氏特殊化学品事业部 陶氏特殊化学品事业部旨在通过提供产品和服务为陶氏的客户和终端用户提供创新的材料和解决方案。产品覆盖面涉及加工助剂，合约制造

。 基于晶体硅(单晶硅和多晶硅)的太阳能电池由于发展历史较早且技术比较成熟，在装机容量一直占据领先地位。尽管技术进步和市场扩大使其成本不断下降，但由于材料和工艺的限制，晶体硅太阳能电池进一步降低成本的空间
。 围绕薄膜太阳能电池研究的热点是，开发高效、低成本、长寿命的光伏太阳能电池。它们应具有如下特征：低成本、高效、长寿命、材料来源丰富、无毒，科学家们比较看好非晶硅薄膜太阳能电池。 非晶硅成薄膜太阳能

： （１）低成本 （２）导电（或绝缘，依结构设计而定） （３）热膨胀系数与硅匹配 （４）非毒性 （５）有一定机械强度 比较合适的衬底材料为一些硅或铝的的化合物，如SiC，Si3N4
，１９９７年每峰瓦单晶硅太阳电池的成本已经降到５美元以下。单晶硅太阳电池虽然在现阶段的大规模应用和工业生产中占主导地位，但是也暴露了许多缺点，其主要问题是成本过高。受单晶硅材料价格和单晶硅电池制备过程的

插入污掺杂层以克服界面壁垒。（3）p层材料采用宽带隙高电导的微晶薄膜，如μc-sic，可以减少P层的光吸收损失；减少电他的串联电阻。（4）为减少p／i界面缺陷，减少二极管质量因子，在p/i界面插入C含量
折的，全面总结其中的经验教训对于进一步推动薄膜非晶硅太阳电池领域的科技进步和相关高新技术产业的发展有着重要意义。况且，由于从非晶硅材料及其太阳电池研究到有关新兴产业的发展是科学技术转化为生产力的典型

5．晶体硅太阳电池及材料引言 1839年，法国Becqueral第一次在化学电池中观察到光伏效应。1876年，在固态硒（Se）的系统中也观察到了光伏效应，随后开发出Se／CuO光电池。有关硅
结构自始至终占主导地位，其它结构对太阳电他的发展也有重要影响。 以材料区分，有晶硅电池，非晶硅薄膜电池，铜钢硒（CIS）电池，磅化镐（CdTe）电池，砷化稼电他等，而以晶硅电池为主导，由于硅是